IDT71V424S ， IDT71V424L ， 3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 512K ×8位）
商用和工业温度范围
引脚配置
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I / O 0
I / O 1
V
DD
V
SS
I / O 2
I / O 3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I / O 7
I / O 6
V
SS
V
DD
I / O 5
I / O 4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
3622 DRW 02
引脚配置
NC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I/00
I/01
V
DD
V
SS
I/02
I/03
WE
A5
A6
A7
A8
A9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
SO44-2
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/07
I/06
V
SS
V
DD
I/05
I/04
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
NC
SO36-1
SOJ
顶视图
TSOP
顶视图
引脚说明
A
0
– A
18
CS
WE
OE
I / O
0
- I / O
7
V
DD
V
SS
地址输入
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
3.3V电源
地
输入
输入
输入
输入
I / O
动力
GND
3622 TBL 02
3622 DRW 11
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
7
8
单位
pF
pF
3622 TBL 03
注意：
1.该参数由器件特性保证，但不生产
测试。
真值表
(1,2)
CS
L
L
L
H
V
HC
(3)
OE
L
X
H
X
X
WE
H
L
H
X
X
I / O
数据
OUT
数据
IN
高-Z
高-Z
高-Z
功能
读数据
写数据
输出禁用
取消选择 - 待机（我
SB
)
取消选择 - 待机（我
SB1
)
3622 TBL 01
注意事项：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
2. V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
-0.2V.
3.其他投入
≥V
HC
or
≤V
LC
.
6.42
2
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
