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IDT7201LA25J 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IDT7201LA25J
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内容描述: CMOS异步FIFO 256 ×9 , 512× 9 , 1K ×9 [CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9]
分类和应用: 先进先出芯片
文件页数/大小: 14 页 / 156 K
品牌: IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
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IDT7200 / 7201A / 7202A CMOS异步FIFO
256 ×9 , 512× 9和1K ×9
军用和商用温度范围
D
3
D
8
W
D
8
D
3
D
2
D
1
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
P28-1,
P28-2,
D28-1,
D28-3,
E28-2,
SO28-3
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
D
4
D
5
D
6
D
7
4 3 2
D
2
D
1
D
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
D
6
D
7
NC
FL
/
RT
XI
FF
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
8
GND
FL
/
RT
RS
EF
XO
/
HF
Q
7
Q
6
Q
5
Q
4
XI
FF
Q
0
Q
1
NC
Q
2
J32-1
&放大器;
L32-1
D
5
W
销刀豆网络gurations
指数
NC
V
CC
D
4
RS
EF
XO
/
HF
Q
7
Q
6
14 15 16 17 18 19 20
GND
NC
R
2679 DRW 02A
Q
3
Q
8
R
Q
4
Q
5
2679 DRW 02B
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
注意:
1. CERPACK ( E28-2 )和600密耳宽DIP ( P28-1和D28-1 )不可用
为7200 。
LCC / PLCC
顶视图
注意:
1. LCC ( L32-1 )不适用于7200 。
绝对最大额定值
符号
等级
V
TERM
端电压
对于
到GND
T
A
操作
温度
T
BIAS
温度
在偏置
T
英镑
存储
温度
I
OUT
DC输出
当前
(1)
建议的直流工作
条件
符号
V
CCM
V
CCC
GND
V
IH(1)
V
IH(1)
参数
军事供应
电压
供应商
电压
电源电压
输入高电压
广告
输入高电压
Mlitary
输入低电压
商业和
军事
分钟。
4.5
4.5
0
2.0
2.2
典型值。
5.0
5.0
0
马克斯。
5.5
5.5
0
0.8
单位
V
V
V
V
V
V
Com'l 。
米尔。
单位
-0.5到+7.0 -0.5到+7.0 V
0至+70
-55到+125
°C
°C
°C
mA
-55到+125 -65到+135
-55到+125 -65到155
50
50
V
IL(2)
注意:
2679 TBL 01
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
以上这些表明,在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响可靠性。
注意:
1. V
IH
= 2.6V的
XI
输入(商业) 。
V
IH
= 2.8V的
XI
输入(军用) 。
2. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。
2679 TBL 03
电容
(T
A
= + 25°C , F = 1.0兆赫)
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
2679 TBL 02
注意:
1,这个参数进行采样,而不是100 %测试。
5.03
2