IDT7200 / 7201A / 7202A CMOS异步FIFO
256 ×9 ， 512× 9和1K ×9
军用和商用温度范围
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
见图1
2679 TBL 08
5V
1.1K
TO
产量
针
680Ω
30pF*
2679 DRW 03
或等效电路
图1.输出负载
*包括范围和夹具电容。
信号说明
输入：
DATA IN （D
0
– D
8
)
数据输入9位宽度的数据。
复位完成时复位（
RS
）输入
取到低状态。在复位过程中，内部读写
指针设置到所述第一位置。之后，需要进行重置
写操作之前，上电才能进行。
无论是
读使能（
R
）和写使能（
W
）输入必须在
该窗口中的高状态在图2中， （即如图所示，
t
RSS
的上升沿之前
RS
）和不应该改变
直到吨
RSR
后的上升沿
RS
。半满标志（
HF
)
将被重置为高复位后（
RS
).
写使能（
W
)
写周期在此输入如果下降沿启动
满标志（
FF
）未设置。数据建立时间和保持时间必须是
附着于相对于所述写入的上升沿使能
(
W
） 。数据被存储在RAM阵列顺序地和
独立于任何正在进行读操作。
后一半的存储器的填充，并在下降沿
下一个写操作时，半满标志（
HF
）将被设置为
低，将保持到擦除的区别
指针和读出指针是小于或等于二分之一的
该设备的总存储器。半满标志（
HF
）然后
由读操作的上升沿复位。
为了防止数据溢出，全旗（
FF
）将变低，
抑制进一步的写操作。当完成一个
有效的读操作，全旗（
FF
）会去吨后高
RFF
,
允许一个有效的写操作开始。当FIFO满时，该
内部写指针从冻结
W
，所以外部变化
in
W
不会影响到FIFO中时，它是满的。
读使能（
R
)
一个读周期在读的下降沿启动
启用（
R
）所提供的空标志（
EF
）未设置。数据
在一个先入/先出的基础被访问时，独立于任何
正在进行的写操作。后读使能（
R
）变为高电平时，
控制：
复位（
RS
)
数据输出（Q
0
– Q
8
）将返回到一个高阻抗
状态，直到下一次读操作。当所有的数据都有
从FIFO的空标志（已读
EF
）将变低，
让“最终”读周期，但进一步抑制读
剩余在高阻抗数据输出操作
ANCE状态。一次有效的写操作已经accom-
plished ，空标志（
EF
）会去吨后高
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和一个有效
然后读取就可以开始。当FIFO是空的，内部
读指针从冻结
R
在这样的外部变化
R
不会
影响的FIFO时，它是空的。
首先加载/重传（
FL
/
RT
)
这是一个双重目的的输入。在深度扩展模式，
此引脚接地，以表明它是第一加载（见
操作模式） 。在单个器件模式下，此引脚用作
在restransmit输入。单个器件模式是通过启动
接地扩张（
XI
).
的IDT7200 / 7201A / 7202A可以进行重发
数据当重新传送使能控制（
RT
）输入脉冲
低。重传操作将设置内部读指针
所述第一位置，并不会影响写指针。读
启用（
R
）和写使能（
W
）必须处于高状态
在重发。该功能是非常有用的，当小于256 /
512/1024写操作复位之间进行。重新传送
麻省理工学院的特点是不与深度扩展模式兼容
并会影响到半满标志（
HF
） ，视
的读出和写入指针的相对位置。
扩展IN（
XI
)
该输入是一个双功能引脚。扩张（
XI
）是
接地，以指示在单个设备模式的操作。
扩展IN（
XI
）被连接到扩展输出（
XO
）的
以前的设备在深度扩展或菊花链模式。
输出：
满标志（
FF
)
全旗（
FF
）将变低，抑制了进一步的写
操作中，当写指针是一个位置比少
读指针，指示该设备已满。如果读出的
指针复位后不移动（
RS
） ，全旗（
FF
）会
256经常为IDT7200低点后， 512写的IDT7201A
1024写的IDT7202A 。
5.03
6
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
