IDT7203 / 7204 /七千二百零六分之七千二百零五CMOS异步FIFO
2048× 9 ， 4096 ×9 ， 8192 ×9和16384 ×9
军用和商用温度范围
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
见图1
2661
t
BL 07
5V
1.1KΩ
D.U.T.
680Ω
30pF*
电容
(1)
(T
A
= + 25°C ， F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
(1)
C
OUT
(1,2)
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
2661
t
BL 08
2661 DRW 03
或等效电路
注意事项：
1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
2.输出取消。
图1.输出负载
*包括夹具和范围电容。
信号说明
输入：
DATA IN （D
0
–D
8
)
- 为9位宽的数据的数据输入端。
控制：
复位（
RS
) —
复位完成时复位
(
RS
）输入为低电平状态。在复位过程中，内部
读写指针被设置到第一位置。复位的
可以发生在加电后写操作之前，必需的。
无论是读使能（
R
）和写使能（
W
）输入必须
处于高状态，如图2中所示的窗口中
（即吨
RSS
的上升沿之前
RS
）和不应该
变化，直到吨
RSR
后的上升沿
RS
.
写使能（
W
) —
写周期在下降沿启动
该输入，如果满标志的边缘（
FF
）未设置。数据的设置和
保持时间必须坚持到，对于上升沿
的写使能（
W
） 。数据被存储在RAM阵列中
顺序地和独立地为任何在外出时的读操作。
一半的存储器的填充之后，并且在所述下降沿
下一个写操作时，半满标志（
HF
）将被设置为LOW时，
并将继续设置，直到写指针之间的区别
和读出指针是小于或等于二分之一的共
存储器设备的。半满标志（
HF
）由复位
在读操作的上升沿。
为了防止数据溢出，全旗（
FF
）将变低的
最后一个写信号的下降沿，从而抑制进一步的写
操作。当完成一有效的读操作，则
满标志（
FF
）会去吨后高
RFF
，允许新的有效的写
开始。当FIFO满时，内部写指针
从封锁
W
在这样的外部变化
W
不会影响到FIFO中
当它满。
读使能（
R
) —
读周期为下降沿启动
读使能的边缘（
R
） ，所提供的空标志（
EF
）是不
设置的。数据是在一个先入/先出的基础访问，不知疲倦
悬垂的任何正在进行的写入操作。后读使能（
R
)
变为高电平时，数据输出（Q
0
通过Q
8
）将返回到
高阻抗状态，直到下一次读操作。当
所有的数据已被从FIFO中时，空标志（读
EF
)
将变低，让“最终”读周期，但进一步抑制
读操作，以保持在一个高的数据输出
阻抗状态。一次有效的写操作已经accom-
plished ，空标志（
EF
）会去吨后高
世界经济论坛
和一个有效
然后读取就可以开始。当FIFO是空的，内部读
指针是由阻断
R
所以外部的变化不会影响
当FIFO为空。
首先加载/重传（
FL
/
RT
) —
这是一个双
通用输入。在深度扩展模式，该引脚为
接地，以表明它是加载的第一装置（见
操作模式） 。单个器件模式是通过启动
接地扩张（
XI
).
的IDT7203 / 7204 /七千二百零六分之七千二百零五可以使重发
数据当重新传送使能控制（
RT
）输入脉冲
低。重传操作将设置内部读指针
所述第一位置，并不会影响写指针。状态
该标志将根据的相对位置发生变化
读取和写入指针。读使能（
R
）和写使能
(
W
）必须在高态重发过程中。这个功能是
有用的，当小于2048/4096/8192/16384写是针对每个
复位之间形成。重传功能不是相容
IBLE与深度扩展模式。
扩展IN（
XI
)
- 该输入是一个双功能引脚。
扩展IN（
XI
）被接地，以指示在一个操作
单个设备的模式。扩张（
XI
）被连接到Expan-
锡永输出（
XO
）中的深度扩展以前的设备或
菊花链模式。
5.04
6
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
