IDT7203 / 7204 /七千二百零六分之七千二百零五CMOS异步FIFO
2048× 9 ， 4096 ×9 ， 8192 ×9和16384 ×9
军用和商用温度范围
输出：
满标志（
FF
)
- 全旗（
FF
）将变低，抑制
进一步写入操作中，当该装置是满的。如果读出的
指针复位后不移动（
RS
） ，全旗（
FF
）会
低2048/4096/8192/16384后写道。
空标志（
EF
)
- 空标志（
EF
）将变低，
抑制进一步的读取操作中，当读出指针是等于
到写指针，指示该设备是否为空。
EXPANSION OUT /半满标志（
XO
/
HF
) —
这是一个
两用输出。在单个设备模式， Expan-时
锡永在（
XI
）被接地，该输出用作一个半的指示
完整的内存。
一半的存储器的填充之后，并且在所述下降沿
下一个写操作时，半满标志（
HF
）将被设定为低电平
并将继续设置，直到写指针之间的区别
和读出指针是小于或等于二分之一的共
存储器设备的。半满标志（
HF
），然后通过复位
在读操作的上升沿。
在深度扩展模式，扩展（
XI
）所配置
连接至扩充输出（
XO
）以前的设备。这
输出作为一个信号到下一个设备的菊花链由
提供脉冲到下一个设备时，先前的设备
到达存储器的最后一个位置。会有一个
XO
脉冲
当写指针到达最后的存储位置，
另外一个
XO
当读指针到达最后脉
的存储器位置。
数据输出（Q
0
-Q
8
) —
Q
0
-Q
8
对于9-数据输出
位宽的数据。这些输出是在高阻抗状态
每当读（
R
）处于高状态。
t
RSC
t
RS
RS
t
RSS
W
t
RSR
t
RSS
R
t
英语
EF
t
仁人家园
, t
FFH
HF FF
,
2661 DRW 04
注意：
1.
W
和
R
= V
IH
周围的上升沿
RS
.
图2.复位
t
RC
t
A
R
t
乡郊小工程
t
RR
t
A
t
DV
数据
OUT
有效
t
WC
t
RHZ
数据
OUT
有效
t
RLZ
Q
0
–Q
8
t
预激
W
t
WR
t
DS
D
0
–D
8
t
DH
数据
IN
有效
2661 DRW 05
数据
IN
有效
图3.异步读写操作
5.04
7
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
