IDT72205LB / 72215LB / 72225LB / 72235LB / 72245LB CMOS SyncFIFO ™
256 ×18 - BIT ， 512 ×18 ， 1024 ×18 ， 2048 ×18 ，4096 ×18
商用和工业温度范围
引脚说明
符号
D0–D17
名字
数据输入
RESET
I / O
I
I
数据输入一个18位的总线。
当
RS
置为低电平，内部读和写指针被设置为所述第一位置
RAM阵列，
FF
和
PAF
变为高电平，并且
PAE
和
EF
变低。之前需要进行重置
上电后最初的写操作。
当
文
为低电平时，数据被写入FIFO的WCLK低到高的转变，
如果FIFO没有满。
当
文
低并且
LD
是高电平时，数据被写入到FIFO的每个低到高
WCLK的过渡。当
文
为高电平时，FIFO保持之前的数据。数据将不
写入到FIFO中，如果
FF
是低的。
当
任
是LOW时，数据被从FIFO读出的RCLK的一个低到高的跳变中，如果
FIFO不为空。
描述
RS
WCLK
写时钟
写使能
I
I
文
RCLK
读时钟
读使能
I
I
任
OE
LD
当
任
低并且
LD
是高电平时，数据被从FIFO中读出的每个低到高
RCLK过渡。当
任
为高电平时，输出寄存器保存的先前的数据。数据
不能从FIFO中读出，如果
EF
是低的。
当
OE
为低电平时，数据输出总线是有效的。如果
OE
为高电平时，输出数据总线将
处于高阻抗状态。
OUTPUT ENABLE
负载
I
I
FL
WXI
RXI
FF
EF
PAE
PAF
WXO
/
HF
RXO
Q0–Q17
V
CC
GND
当
LD
是在D0 -D11被写入偏移和深度的寄存器的输入端时，数据
在WCLK ，当在低到高的转变
文
是低的。当
LD
低，
上Q0- Q11的从偏移和深度寄存器读取在低到中的数据输出
当RCLK高过渡，
任
是低的。
先装
I
在单个设备或宽度扩展配置，
FL
被接地。在深度扩张
CON连接的配置中，
FL
被接地的第一装置（第一负载装置）上，并设置为HIGH对于所有其它
设备的菊花链。
在单个设备或宽度扩展配置，
WXI
被接地。在深度
扩展配置，
WXI
被连接到
WXO
（写扩展出）以前的设备。
写扩张
扩展阅读
满标志
空标志
可编程
几乎空标志
可编程
几乎满标志
写扩张
出/半满标志
扩展阅读
OUT
数据输出
动力
地
I
I
O
O
O
在单个设备或宽度扩展配置，
RXI
被接地。在深度扩张
CON连接的配置中，
RXI
被连接到
RXO
（阅读扩展出）以前的设备。
当
FF
为低电平时，FIFO为满并且进一步的数据写入到输入被禁止。当
FF
为高电平时， FIFO未满。
FF
同步到WCLK 。
当
EF
为低时，所述的FIFO是空的，进一步的数据读出从输出被抑制。
当
EF
为高电平时， FIFO不为空。
EF
同步到RCLK 。
当
PAE
为低时，所述的FIFO是空的，几乎基于所述偏移编程到
FIFO。默认的复位偏移量是31空IDT72205LB ， 63空
IDT72215LB和127从空IDT72225LB / 72235LB / 72245LB 。
O
当
PAF
为低电平时，FIFO几乎充满基于所述偏移编程到FIFO中。
默认的复位偏移量是31全的IDT72205LB ， 63全为IDT72215LB ，和
127从全额IDT72225LB / 72235LB / 72245LB 。
在单个设备或宽度扩展配置中，设备是超过半满
当
HF
为LOW 。在深度扩展配置中，一个脉冲被发送
WXO
to
WXI
的下一个设备的时候，在FIFO中的最后位置被写入。
O
O
O
在深度扩展配置中，一个脉冲被发送
RXO
to
RXI
下一个器件的
当在FIFO中的最后位置被读出。
数据输出为一个18位总线。
+ 5V电源引脚。
八接地引脚的PLCC和7引脚TQFP的/ STQFP 。
3
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
