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型号: IN74AC323
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内容描述: 8位与并行I / O高速硅栅CMOS双向通用移位寄存器 [8-Bit Bidirectional Universal Shift Register with Parallel I/O High-Speed Silicon-Gate CMOS]
分类和应用: 移位寄存器
文件页数/大小: 9 页 / 338 K
品牌: IKSEMICON [ IK SEMICON CO., LTD ]
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IN74AC323
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
DC输出吸入/源出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±50
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
J
T
A
I
OH
I
OL
t
r
, t
f
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
结温( PDIP )
工作温度,所有封装类型
输出电流 - 高
输出电流 - 低
输入上升和下降时间
*
(除施密特输入)
V
CC
=3.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=5.5 V
0
0
0
-40
2.0
0
最大
6.0
V
CC
140
+85
-24
24
150
40
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
NS / V
*
V
IN
从30%到70 %的V
CC
该器件包含保护电路,以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而,必须采取预防措施,以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ (Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或V
CC
) 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00