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    IN74AC323 参数 Datasheet PDF下载

    IN74AC323图片预览
    型号： IN74AC323
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8位与并行I / O高速硅栅CMOS双向通用移位寄存器 [8-Bit Bidirectional Universal Shift Register with Parallel I/O High-Speed Silicon-Gate CMOS]
    分类和应用： 移位寄存器栅
    文件页数/大小： 9 页 / 338 K
    品牌： IKSEMICON [ IK SEMICON CO., LTD ]
     浏览型号IN74AC323的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IN74AC323的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IN74AC323的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IN74AC323的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IN74AC323的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IN74AC323的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IN74AC323的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IN74AC323的Datasheet PDF文件第9页  
    IN74AC323
    AC电气特性
    (C
    L
    = 50pF的，输入吨
    r
    =t
    f
    = 3.0纳秒）
    V
    CC*
    符号
    参数
    V
    保证限制
    25
    °C
    民
    f
    最大
    t
    PLH
    t
    PHL
    t
    PLH
    t
    PHL
    t
    PZH
    t
    PZL
    t
    PHZ
    t
    PLZ
    C
    IN
    最大时钟频率（图1）
    传播延迟，时钟到Q
    A
    '或Q
    H
    ’
    （图1）
    传播延迟，时钟到Q
    A
    '或Q
    H
    ’
    （图1）
    传播延迟，时钟到Q
    A
    直通Q
    H
    （图1）
    传播延迟，时钟到Q
    A
    直通Q
    H
    （图1）
    传播延迟， OE1 ， OE2到Q
    A
    直通Q
    H
    （图3）
    传播延迟， OE1 ， OE2到Q
    A
    直通Q
    H
    （图3）
    传播延迟， OE1 ， OE2到Q
    A
    直通Q
    H
    （图3）
    传播延迟， OE1 ， OE2到Q
    A
    直通Q
    H
    （图3）
    最大输入电容
    3.3
    5.0
    3.3
    5.0
    3.3
    5.0
    3.3
    5.0
    3.3
    5.0
    3.3
    5.0
    3.3
    5.0
    3.3
    5.0
    3.3
    5.0
    5.0
    90
    130
    8.5
    5.5
    8.5
    5.5
    9.0
    6.0
    10.0
    6.5
    7.0
    4.5
    7.0
    5.0
    6.5
    3.5
    5.5
    3.5
    4.5
    20.5
    14.0
    21.5
    14.5
    20.5
    14.5
    23.0
    16.0
    18.0
    12.5
    18.0
    12.5
    18.5
    14.0
    17.0
    12.5
    最大
    -40 ° C至
    85°C
    民
    80
    105
    7.0
    4.5
    7.0
    5.0
    7.5
    5.0
    8.5
    6.0
    6.0
    4.0
    6.0
    4.0
    5.5
    3.0
    4.5
    2.0
    4.5
    22.0
    15.0
    23.0
    16.0
    22.5
    16.0
    24.5
    17.5
    19.5
    13.5
    20.5
    14.0
    19.5
    15.0
    19.0
    13.5
    最大
    兆赫
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    pF
    单位
    典型的25°C ，V
    CC
    =5.0 V
    C
    PD
    *
    功率耗散电容
    170
    pF
    电压范围为3.3 V为3.3 V
    ±0.3
    V
    电压范围为5.0 V为5.0 V
    ±0.5
    V
    启示录00

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