欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IN74HCT573ADW 参数 Datasheet PDF下载

IN74HCT573ADW图片预览
型号: IN74HCT573ADW
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 八路三态同相透明锁存器高性能硅栅CMOS [Octal 3-State Noninverting Transparent Latch High-Performance Silicon-Gate CMOS]
分类和应用: 锁存器
文件页数/大小: 6 页 / 306 K
品牌: IKSEMICON [ IK SEMICON CO., LTD ]
 浏览型号IN74HCT573ADW的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IN74HCT573ADW的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IN74HCT573ADW的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IN74HCT573ADW的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IN74HCT573ADW的Datasheet PDF文件第6页  
IN74HCT573A
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
直流输出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±35
±75
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间(图1 )
4.5
0
-55
0
最大
5.5
V
CC
+125
500
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路,以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而,必须采取预防措施,以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ (Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或V
CC
) 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00