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IN74HCT573ADW 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IN74HCT573ADW
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内容描述: 八路三态同相透明锁存器高性能硅栅CMOS [Octal 3-State Noninverting Transparent Latch High-Performance Silicon-Gate CMOS]
分类和应用: 锁存器
文件页数/大小: 6 页 / 306 K
品牌: IKSEMICON [ IK SEMICON CO., LTD ]
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IN74HCT573A
AC电气特性
(V
CC
=5.0 V
±
10%, C
L
= 50pF的,输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒)
保证限额
符号
参数
25
°C
to
-55°C
30
30
28
28
12
10
15
≤85°C
≤125°C
单位
t
PLH
, t
PHL
t
PLH
, t
PHL
t
PLZ
, t
PHZ
t
PZH
, t
PZL
t
TLH
, t
THL
C
IN
C
OUT
最大传输延迟,输入D到Q
(图1和5)
最大传输延迟,锁存使能
至Q (图2和5)
最大传输延迟,输出使能到
Q值(图3和6 )
最大传输延迟,输出使能到
Q值(图3和6 )
最大输出转换时间,任何输出
(图1和5)
最大输入电容
最大三态输出电容
(输出高阻抗状态)
功率耗散电容(每启用
输出)
38
38
35
35
15
10
15
45
45
42
42
18
10
15
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
典型的25°C ,V
CC
=5.0 V
48
pF
C
PD
用于确定空载动态功率
消费:
P
D
=C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
时序要求
(V
CC
=5.0 V
±
10%, C
L
= 50pF的,输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒)
保证限额
符号
t
SU
参数
最小建立时间,输入
D钮锁存使能
(图4)
最小保持时间,锁存
启用以输入端D
(图4)
最小脉冲宽度,锁
使(图2)
最大输入兴衰
倍(图1)
25
°C
to
-55°C
10
≤85°C
13
≤125°C
15
单位
ns
t
h
5
5
5
ns
t
w
t
r,
t
f
15
500
19
500
22
500
ns
ns
启示录00