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BSC025N03LSG 参数 Datasheet PDF下载

BSC025N03LSG图片预览
型号: BSC025N03LSG
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内容描述: 的OptiMOS ™ 3功率MOSFET [OptiMOS™3 Power-MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 385 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
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BSC025N03LS G  
13 Avalanche characteristics  
AS=f(t AV); R GS=25 Ω  
14 Typ. gate charge  
GS=f(Q gate); I D=30 A pulsed  
V
I
parameter: T j(start)  
parameter: V DD  
100  
12  
15 V  
6 V  
24 V  
10  
8
25 °C  
100 °C  
125 °C  
10  
6
4
2
1
1
0
10  
100  
1000  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
t
AV [µs]  
Q gate [nC]  
15 Drain-source breakdown voltage  
16 Gate charge waveforms  
V
BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA  
34  
32  
30  
28  
26  
24  
22  
20  
V GS  
Q g  
V gs(th)  
Q g(th)  
Q sw  
Q gd  
Q gate  
Q gs  
-60  
-20  
20  
60  
100  
140  
180  
T j [°C]  
Rev. 1.6  
page 7  
2009-10-22