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    SPD04N60C3 参数 Datasheet PDF下载

    SPD04N60C3图片预览
    型号： SPD04N60C3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 酷MOS ™功率晶体管 [Cool MOS™ Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 12 页 / 287 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号SPD04N60C3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SPD04N60C3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SPD04N60C3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SPD04N60C3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SPD04N60C3的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SPD04N60C3的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SPD04N60C3的Datasheet PDF文件第9页浏览型号SPD04N60C3的Datasheet PDF文件第10页  
    Final data
    5 Typ. output characteristic
    I
    D
    =
    f
    (V
    DS
    );
    T
    j
    =150°C
    parameter:
    t
    p
    = 10 µs,
    V
    GS
    8.5
    SPD04N60C3
    SPU04N60C3
    6 Typ. drain-source on resistance
    R
    DS(on)
    =f(I
    D
    )
    parameter:
    T
    j
    =150°C,
    V
    GS
    10
    A
    7
    6
    20V
    8V
    7V
    6.5V
    Ω
    6V
    4.5V
    4V
    5V
    8
    R
    DS(on)
    I
    D
    7
    6
    20V
    8V
    7V
    6.5V
    6V
    5
    4
    5.5V
    5.5V
    5
    5V
    3
    2
    1
    0
    0
    4
    4.5V
    3
    2
    1
    0
    4V
    5
    10
    15
    V
    V
    DS
    25
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    A
    I
    D
    9
    7 Drain-source on-state resistance
    R
    DS(on)
    =
    f
    (T
    j
    )
    parameter :
    I
    D
    = 2.8 A,
    V
    GS
    = 10 V
    5.5
    SPD04N60C3
    8 Typ. transfer characteristics
    I
    D
    =
    f
    (
    V
    GS
    );
    V
    DS
    ≥
    2 x
    I
    D
    x
    R
    DS(on)max
    parameter:
    t
    p
    = 10 µs
    16
    Ω
    4.5
    A
    25°C
    R
    DS(on)
    4
    12
    I
    D
    3.5
    3
    10
    150°C
    8
    2.5
    2
    1.5
    98%
    1
    0.5
    0
    -60
    -20
    20
    60
    100
    °C
    6
    4
    typ
    2
    180
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    14
    16
    T
    j
    Page 6
    V
    20
    V
    GS
    2003-10-02

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