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IN74HCT20N 参数 Datasheet PDF下载

IN74HCT20N图片预览
型号: IN74HCT20N
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内容描述: 双4输入与非门高性能硅栅CMOS [DUAL 4-INPUT NAND GATE High-Performance Silicon-Gate CMOS]
分类和应用: 栅极输入元件
文件页数/大小: 4 页 / 122 K
品牌: INTEGRAL [ INTEGRAL CORP. ]
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IN74HCT20
最大额定值
*
符号
参数
价值
单位
V
CC
直流电源电压(参考GND)
-0.5到+7.0
V
V
IN
DC输入电压(参考GND)
-1.5到V
CC
+1.5
V
V
OUT
DC输出电压(参考GND)
-0.5到V
CC
+0.5
V
I
IN
DC输入电流,每个引脚
mA
±20
I
OUT
直流输出电流,每个引脚
mA
±25
I
CC
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
mA
±50
P
D
在静止空气中,塑料DIP功耗+
750
mW
SOIC封装+
500
TSTG
储存温度
-65到+150
°C
260
T
L
焊接温度1毫米案例10
°C
(塑料DIP或SOIC封装)
*
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
参数
V
CC
直流电源电压(参考GND)
V
IN
, V
OUT
直流输入电压,输出电压(参照
GND )
T
A
工作温度,所有封装类型
t
r
, t
f
输入上升和下降时间(图1 )
4.5
0
-55
0
最大
5.5
V
CC
+125
500
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路,以防止损坏,由于高静
电压或电场。然而,必须采取预防措施,以避免任何电压的应用
超过最大额定电压,这个高阻抗电路更高。为了正常工作,V
IN
V
OUT
应限制到范围GND≤ (Ⅴ
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或
V
CC
) 。未使用的输出必须悬空。
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