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IN74HCT20N 参数 Datasheet PDF下载

IN74HCT20N图片预览
型号: IN74HCT20N
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内容描述: 双4输入与非门高性能硅栅CMOS [DUAL 4-INPUT NAND GATE High-Performance Silicon-Gate CMOS]
分类和应用: 栅极输入元件
文件页数/大小: 4 页 / 122 K
品牌: INTEGRAL [ INTEGRAL CORP. ]
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IN74HCT20
DC电气特性(电压
参考GND )
保证限额
V
CC
符号
参数
测试条件
V
25
°C ≤85 ≤125
to
°C
°C
-55°C
V
IH
最低
高V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V 4.5
2.0
2.0
2.0
水平
输入
I
OUT
≤
20
µA
5.5
2.0
2.0
2.0
电压
V
IL
最大低 - V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V 4.5
0.8
0.8
0.8
水平
输入
I
OUT
 ≤
20
µA
5.5
0.8
0.8
0.8
电压
V
OH
最低
高V
IN
=
V
IH
or
V
IL
4.5
4.4
4.4
4.4
水平
产量
I
OUT
 ≤
20
µA
5.5
5.4
5.4
5.4
电压
V
IN
=
V
IH
or
V
IL
4.5
3.98
3.84
3.7
I
OUT
 ≤
4.0毫安
V
OL
最大
低V
IN
=V
IH
4.5
0.1
0.1
0.1
水平
产量
I
OUT
 ≤
20
µA
5.5
0.1
0.1
0.1
电压
V
IN
=V
IH
4.5
0.26
0.33
0.4
I
OUT
 ≤
4.0毫安
I
IN
最大输入V
IN
=V
CC
或GND
5.5
±0.1
±1.0 ±1.0
漏电流
V
IN
=V
CC
I
CC
最大
or
GND 5.5
2.0
20
40
静态电源我
OUT
=0µA
当前
(每包)
V
IN
= 2.4 V时,在任何一个
≥-55
25
°C
to
∆I
CC
额外的电源输入
°C
125°C
V
IN
=V
CC
或GND ,其他
当前
输入
5.5
2.9
2.4
I
OUT
=0µA
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
3