E28F008S3-120 参数 Datasheet PDF下载

型号：	E28F008S3-120
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内容描述：	字节宽的SMART 3 FlashFile Memory系列4 ，8和16 MBIT [BYTE-WIDE SMART 3 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT]
分类和应用：
文件页数/大小：	41 页 / 701 K
品牌：	INTEL [ INTEL CORPORATION ]

2.0

字节宽的SMART 3 FlashFile ™ Memory系列

操作原理

1FFFFF

1F0000

1EFFFF

1E0000

1DFFFF

1D0000

1CFFFF

1C0000

1BFFFF

1B0000

1AFFFF

1A0000

19FFFF

190000

18FFFF

180000

17FFFF

170000

16FFFF

160000

15FFFF

150000

14FFFF

140000

13FFFF

130000

12FFFF

120000

11FFFF

110000

10FFFF

100000

0FFFFF

0F0000

0EFFFF

0E0000

0DFFFF

0D0000

0CFFFF

0C0000

0BFFFF

0B0000

0AFFFF

0A0000

09FFFF

090000

08FFFF

080000

07FFFF

070000

06FFFF

060000

05FFFF

050000

04FFFF

040000

03FFFF

030000

02FFFF

020000

01FFFF

010000

00FFFF

000000

该字节宽智能3 FlashFile的回忆，包括

片上WSM管理块擦除，编程，

和锁定位配置功能。它允许：

100％的TTL电平控制输入，固定电源

在块擦除，编程和锁定位

构，并以最小的处理器开销

RAM的界面计时。

经过最初的设备上电或回深

掉电模式（见

公交车运营），

该

设备默认值读取阵列模式。操纵

外部存储器控制引脚允许阵列中读取，

待机状态，并输出禁止操作。

状态寄存器和识别码即可

通过崔独立于V的访问

电压。在V高电压

使成功

块擦除，编程和锁定位配置。

与改变存储相关的所有功能

内容块

擦除，

程序，

锁位

配置，状态和识别码，是

通过崔访问，并通过验证

状态寄存器。

命令使用的是标准的微书面

处理器的写时序。崔内容作为

输入到控制块擦除的WSM ，

程序，锁位的配置操作。该

内部算法由WSM调节，

包括脉冲重复，内部核查，并

裕数据。地址和数据

在写周期内锁定。写

相应的命令输出数组数据，访问

该识别码，或输出状态寄存器的数据。

发起和调查进度界面软件

块擦除，编程和锁定位配置

可以存储在任何块。这个代码被复制到

并且在闪光灯系统RAM中执行

内存升级。成功完成后，

读经读阵列都可能再次

命令。块擦除挂起允许系统

软件暂停块擦除读取数据

从或程序数据的任何其他块。节目

暂停允许系统软件挂起

程序从任何其他闪存中读取数据

排列位置。

64字节块

16-Mbit

64字节块

8-Mbit

64字节块

4-Mbit

图5.内存映射

初步

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