256 - Mbit的J3 （ X8 / X16 ）
表13.芯片使能真值表
CE2
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
CE1
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
CE0
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
设备
启用
残
残
残
启用
启用
启用
残
注意：
为单芯片应用， CE2和CE1可以连接到V
IL
.
9.1.1
总线读操作
执行总线读操作时， CEX （参照
和OE ＃必须有效。
CEX是设备选择控制;当激活时，它可以使闪存设备。 OE ＃是数据 -
输出控制;活性时，被寻址的闪速存储器中的数据被驱动到I / O总线。对于所有
读状态， WE＃和＃ RP必须撤除。看
请参阅
用于对从闪存阵列读取的信息，
和参考
了解有关所有其他可用读细节
状态。
9.1.2
总线写操作
写命令到命令的用户界面允许各种操作模式，包括
阵列中的数据， CFI数据，识别码，状态的检查和清理登记的阅读，
并且，当V
笔
= V
金边
，块擦除，编程和锁定位配置。
块擦除命令需要相应的命令和数据块中的一个地址
被擦除。该字节/字编程命令需要的位置的命令和地址
被写入。设置块锁定位命令需要在命令和块设备中是
锁定。清除块锁定位命令需要在设备中的命令和地址。
崔不占用可寻址的内存位置。当设备启用后，被写入
和WE＃有效。要执行的命令所需要的地址和数据被锁存的上升
WE＃或CE0 ， CE1 ， CE2或的第一边缘，禁用该装置的边缘（见
标准的微处理器写定时被使用。
9.1.3
输出禁用
与CEX断言，并在逻辑高电平OE ＃ （V
IH
） ，该装置的输出被禁止。产量
信号D [ 15 ：0]被置于高阻抗状态。
数据表
33
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