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E28F200BVB80 参数 Datasheet PDF下载

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型号: E28F200BVB80
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内容描述: 2兆位SmartVoltage引导块闪存系列 [2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 55 页 / 633 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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E
1.0
2兆位SmartVoltage BOOT块系列
增强
电路
OPTIMIZE
V
CC
性能,使操作下来
V
CC
= 3.0 V.
产品系列概述
该数据表包含了规格为
产品在SmartVoltage两个分支
2 - Mbit的引导块闪存系列。这些
-bv / CV后缀的产品提供3.0 V- 3.6 V操作
并且还以5V高速存取操作
次。在本数据表中, 28F200
是指所有X8 / X16 2 - Mbit的产品,而
28F002B指所有X8 2 - Mbit的引导块
产品。第1.0节规定的概述
闪存系列包括应用程序,引脚
和引脚说明。部分2.0和3.0
描述存储器组织和运作
对于这些产品。第4.0节中包含
家庭的经营规范。最后,第
5.0和6.0提供的订购和文件
参考信息。
如果您使用的是BX / BL 12 V V
PP
BOOT BLOCK
今天的产品,您应占
差异上面列出,并允许
连接5 V到V
PP
和断开12 V
从V
PP
行了,如果5 V写入期望。
1.2
主要特点
1.1
在新功能
SmartVoltage产品
该SmartVoltage引导块闪存系列
提供相同的操作与BX / BL 12 V
程序产品,除了列出的差异
下文。所有的其它功能等同于当前
产品包括签名,写命令,
和引脚排列。
WP #引脚已经取代了杜(不要使用)引脚。
请将WP #引脚来控制信号或
V
CC
或GND (在这种情况下,一个逻辑电平信号
可以放在杜引脚)。请参考表2
9 ,看看如何WP #引脚工作。
5 V编程/擦除操作已被添加。
如果开关V
PP
为写保护,切换到
GND (不是5 V)为完整的写保护。
要利用5 V写能力的优势,
允许连接5 V到V
PP
断开12 V的V
PP
线。
英特尔的SmartVoltage技术是最
在闪速行业柔性电压溶液
提供两个独立的电源引脚: V
CC
读操作,和V
PP
编程和擦除
操作。分立电源引脚允许系统
设计者使用适当电压电平为
他们的设计。该产品系列的,特别是
28F200BV / CV ,并28F002BV提供程序/
清除能力在5 V或12 V 28F200BV / CV
和28F002BV允许读取与V
CC
在3.3 V
±
0.3 V或5 V.由于许多设计从读
闪速存储器的时间的很大比例,读
采用3.3 V范围内可以提供很大的操作
积蓄力量。如果读取性能是一个问题,
然而, 5 V V
CC
提供更快的读取访问
次。
对于编程和擦除操作, 5 V V
PP
操作不需要在系统
电压转换器,而12 V V
PP
手术
提供更快的编程和擦除的情况下,
其中, 12 V可用,如制造或
设计中,如果12伏是在系统。设计
简单起见,然而,仅仅挂钩V
CC
和V
PP
to
同为5 V± 10 %来源。
该28F200 / 28F002B引导块闪存
家庭是一个高性能的, 2兆位( 2,097,152
位)闪存家族组织为任
256 K字的16位各(仅28F200 )或
8位512千字节(每28F200和28F002B ) 。
表1. SmartVoltage提供的总电压灵活性
产品
名字
28F002BV-T/B
28F200BV-T/B
28F200CV-T/B
公共汽车
宽度
x8
x8或x16
x8或x16
3.3 V
±
0.3 V
V
CC
5 V
±
5%
5 V
±
10%
5 V
±
10%
V
PP
12 V
±
5%
5
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