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E28F200BVB80 参数 Datasheet PDF下载

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型号: E28F200BVB80
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内容描述: 2兆位SmartVoltage引导块闪存系列 [2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 55 页 / 633 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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2兆位SmartVoltage BOOT块系列
分别可擦除块,其中包括一个硬件
上锁的引导块( 16,384字节),两个参数
块(每8,192个字节)和主要模块( 1
的98,304字节块的131,072个街区
字节) ,定义引导块闪存系列
架构。参见图7和8,用于存储
地图。每个块可独立擦除和
编程100,000次在商业
温度或10,000次延长
温度。
引导块位于任一顶端(记
by
-T
后缀)或地址的底部(-B后缀)
地图以适应不同
微处理器协议启动代码的位置。
在硬件上锁的引导块提供
所需内核代码的完整代码安全
对系统进行初始化。锁定和解锁的
引导块是通过WP #和/或RP #控制
(参见3.4节) 。
命令用户界面(CUI )作为
接口
微处理器
or
微控制器和的内部运作
引导块闪存产品。内部
写状态机( WSM )自动执行
算法和必要的程序定时
和擦除操作,包括验证,
由此unburdening微处理器或
微控制器的这些任务。状态寄存器
( SR )表示WSM以及它是否状态
成功地完成所需的程序或
擦除操作。
编程和擦除允许自动化和程序
擦除操作,以使用业界被执行
标准的双写的命令序列,以在CUI 。
数据编程在执行字( 28F200
家庭)或字节( 28F200或28F002B家庭)
增量。在闪速存储器中的每个字节或字
可以独立于其它存储器进行编程
位置,不像擦除,擦除其中的所有位置
内同时一个块。
在2兆位SmartVoltage引导块闪速存储器
系列还设计有自动电源
储蓄( APS)功能,可最大程度地减少系统
电池的漏电流,从而允许非常低的功率
设计。为了提供更大的功率节省,
引导块系列包括深度掉电
模式,通过减少功耗
大部分转向闪存的电路断。这
模式由RP #引脚控制和它的使用是
在第3.5节中讨论,以及其他功率
消费问题。
此外, RP #引脚提供保护
避免不必要的命令将因无效
期间可能发生的系统总线的条件
系统复位和上电/下转换序列。为
例如,当闪速存储器通电时,它
自动默认为读阵列模式,但
在一个温暖的系统复位,电源的地方
不间断地继续向系统组件,
闪速存储器可以保持在一个非读模式,
如擦除。因此,系统复位
信号应该连接到RP #到内存重置
在激活复位正常读模式
信号。参见第3.6节。
该28F200提供了字节宽或字宽
输入/输出,它是由BYTE #引脚控制。
请参照表2和图16进行了详细的
字节#操作的描述中,特别是
在DQ的使用
15
/A
–1
引脚。
该28F200产品的提供
ROM / EPROM兼容的引脚排列及安置在
44引脚PSOP (塑料小外形封装)封装,
48引脚TSOP (薄型小外形,1.2毫米厚)
包和所示的56引脚TSOP
图4 ,图5和6中。该28F002
产品在40引脚TSOP提供
包在图3中,如图所示。
参阅
直流特性,
第4.4节
(商业级温度)和第4.11节
(扩展温度) ,完整的电流和
电压规格。参阅
AC
的特点,
部分
4.5
(商业
温度)和第4.12 (扩展
温度) ,读,写和擦除性能
特定连接的阳离子。
E
1.3
应用
2- Mbit的引导块闪存系列
联合收割机
高密度,
低功耗,
HIGH-
性能,具有成本效益的闪速存储器
阻塞和硬件保护功能。其
灵活性和通用性降低整个成本
产品的生命周期。快闪记忆体是非常适合刚刚在 -
时间的生产流程,降低了系统盘点
和成本,并且消除了部件处理
在生产阶段。
当你的产品在最终用户的手中,
更新或增强功能成为
必要时,闪速存储器可以减少更新成本
通过允许用户进行更改代码,而不是
昂贵的产品召回或技术人员的电话。
6
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