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    GE28F320C3BD70 参数 Datasheet PDF下载

    GE28F320C3BD70图片预览
    型号： GE28F320C3BD70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高级+引导块闪存（ C3 ） [Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)]
    分类和应用： 闪存内存集成电路
    文件页数/大小： 68 页 / 1132 K
    品牌： INTEL [ INTEL CORPORATION ]
     浏览型号GE28F320C3BD70的Datasheet PDF文件第27页浏览型号GE28F320C3BD70的Datasheet PDF文件第28页浏览型号GE28F320C3BD70的Datasheet PDF文件第29页浏览型号GE28F320C3BD70的Datasheet PDF文件第30页浏览型号GE28F320C3BD70的Datasheet PDF文件第32页浏览型号GE28F320C3BD70的Datasheet PDF文件第33页浏览型号GE28F320C3BD70的Datasheet PDF文件第34页浏览型号GE28F320C3BD70的Datasheet PDF文件第35页  
    英特尔
    £
    高级+引导块闪存（ C3 ）
    5.6.1
    程序保护
    除了柔性块锁定，在V
    PP
    编程电压可以保持低的绝对
    所有块中的闪光装置的硬件写保护。当V
    PP
    低于或等于V
    PPLK
    ,
    任何编程或擦除操作将导致一个错误，提示相应的状态寄存器
    位（SR [3]）被置位。
    图7.示例电源配置
    系统供应
    12 V电源
    10
    ≤
    KΩ
    12 V快速编程
    绝对的写保护与V
    系统供应
    （注1 ）
    PP
    系统供应
    V
    CC
    V
    PP
    普罗特＃
    （逻辑信号）
    V
    CC
    V
    PP
    低电压编程
    ≤
    V
    PPLK
    通过逻辑信号绝对的写保护
    系统供应
    V
    CC
    V
    PP
    V
    CC
    V
    PP
    低电压编程
    0645_06
    12 V电源
    低电压12 V快速编程
    注意：
    1.电阻可如果V使用
    CC
    供应可吸收基础上的电阻值足够的电流。看
    AP-657
    与高级+引导块闪存架构设计
    了解详细信息。
    数据表
    31

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