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    GE28F320C3BD70 参数 Datasheet PDF下载

    GE28F320C3BD70图片预览
    型号： GE28F320C3BD70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高级+引导块闪存（ C3 ） [Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)]
    分类和应用： 闪存内存集成电路
    文件页数/大小： 68 页 / 1132 K
    品牌： INTEL [ INTEL CORPORATION ]
     浏览型号GE28F320C3BD70的Datasheet PDF文件第31页浏览型号GE28F320C3BD70的Datasheet PDF文件第32页浏览型号GE28F320C3BD70的Datasheet PDF文件第33页浏览型号GE28F320C3BD70的Datasheet PDF文件第34页浏览型号GE28F320C3BD70的Datasheet PDF文件第36页浏览型号GE28F320C3BD70的Datasheet PDF文件第37页浏览型号GE28F320C3BD70的Datasheet PDF文件第38页浏览型号GE28F320C3BD70的Datasheet PDF文件第39页  
    英特尔
    £
    高级+引导块闪存（ C3 ）
    7.2
    工作条件
    表10.温度和电压工作条件
    符号
    参数
    笔记
    民
    最大
    单位
    T
    A
    V
    CC1
    V
    CC2
    V
    CCQ1
    V
    CCQ2
    V
    CCQ3
    V
    PP1
    V
    PP2
    循环
    工作温度
    V
    CC
    电源电压
    1, 2
    1, 2
    1
    I / O电源电压
    –40
    2.7
    3.0
    2.7
    1.65
    1.8
    +85
    3.6
    3.6
    3.6
    2.5
    2.5
    3.6
    12.6
    °C
    伏
    伏
    电源电压
    1
    1, 3
    1.65
    11.4
    100,000
    伏
    伏
    周期
    块擦除自行车
    3
    注意事项：
    1. V
    CC
    和V
    CCQ
    必须共享相同的电源时，它们是在V
    CC1
    范围内。
    2. V
    CC
    MAX = 3.3 V 0.25
    µ
    米32 - Mbit的器件。
    3.应用V
    PP
    = 11.4 V- 12.6的程序/擦除过程中V只能最多为1000个周期上完成
    主块和2500个循环的参数块。 V
    PP
    可被连接到12伏，共
    小时最大80 。
    7.3
    直流电流特性
    表11.直流电流特性（共3页1 ）
    V
    CC
    符号
    参数
    V
    CCQ
    记
    2.7 V–3.6 V
    2.7 V–3.6 V
    典型值
    最大
    2.7 V–2.85 V
    1.65 V–2.5 V
    典型值
    最大
    2.7 V–3.3 V
    1.8 V–2.5 V
    典型值
    最大
    单位
    TEST
    条件
    I
    LI
    输入负载电流
    1,2
    ±
    1
    ±
    1
    ±
    1
    µA
    V
    CC
    =
    V
    CC
    最大
    V
    CCQ
    =
    V
    CCQ
    最大
    V
    IN
    = V
    CCQ
    或GND
    V
    CC
    =
    V
    CC
    最大
    V
    CCQ
    =
    V
    CCQ
    最大
    V
    IN
    = V
    CCQ
    或GND
    I
    LO
    输出漏
    当前
    1,2
    ±
    10
    ±
    10
    ±
    10
    µA
    数据表
    35

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