英特尔
£
高级+引导块闪存（ C3 ）
2.3
信号说明
列出了所使用的有效信号，并提供了每一个简要说明。
表2中。
符号
信号说明
TYPE
名称和功能
地址输入
为存储器地址。地址在编程或擦除内部锁存
周期。
A [最大： 0 ]
输入
8兆位： AMAX = A18
16兆位： AMAX = A19
32兆位： AMAX = A20
64兆位： AMAX = A21
数据输入/输出：
输入在写周期的数据和命令;在读取输出数据
周期。输入命令到命令的用户界面时， CE＃和WE ＃信号有效。数据
内部锁存。数据引脚浮动到三态时，该芯片被取消选择或输出
禁用。
CHIP ENABLE ：
低电平有效的输入。激活内部控制逻辑，输入缓冲器，解码器和感
放大器。 CE＃为低电平有效。 CE＃高去选择存储设备并降低功耗
待机状态的水平。
OUTPUT ENABLE ：
低电平有效的输入。通过在一个数据缓冲器使该设备的输出端
读操作。
RESET /深度掉电：
低电平有效的输入。
DQ [15：0 ]
输入/
产量
CE＃
输入
OE ＃
输入
RP ＃
输入
当RP ＃为逻辑低电平时，器件处于复位/深度掉电模式下，它驱动输出
高-Z ，复位写状态机，并最大限度地减少目前的水平（我
CCD
).
当RP ＃处于逻辑高电平时，设备处于标准操作。当从RP ＃转换为逻辑低时
逻辑高，设备重置所有块锁定，默认为读阵列模式。
写使能：
低电平有效的输入。 WE＃控制写入设备。地址和数据锁存
在WE ＃脉冲的上升沿。
写保护：
低电平有效的输入。
WE＃
输入
WP ＃
输入
当WP＃为逻辑低电平时，所述向下锁定机构被启用和块标记为向下锁定不能
通过软件来解锁。
当WP＃为逻辑高电平时，锁闭机制被禁用，阻止先前锁定的是
现在锁定，解锁，并通过软件锁定。经过WP ＃变低，任何块
先前标记的向下锁定恢复到向下锁定状态。
SEE
对块锁定的详细信息。
编程/擦除电源：
为输入端的逻辑电平，以控制整个设备
保护。供电为12 V加速编程和擦除操作
±
5 ％的范围内。该引脚
不能留浮动。
VPP
输入/
动力
较低的VPP
≤
VPPLK以防止程序的所有内容，并擦除命令。
设置VPP = VCC为在系统读取，编程和擦除操作。在此配置中， VPP可以
降低至1.65 V ，以允许从系统电源电阻或二极管压降。
适用VPP至12 V
±
为更快的程序5％，在生产环境中抹去。采用12 V
±
5%
到VPP只能最多为1000个循环上的主块和2500个循环上进行
引导块。 VPP可被连接到12伏，总共最多80小时。看
为
上VPP电压配置的详细信息。
设备核心供电：
耗材设备操作能力。
输出电源：
输出驱动电压。这个球可以直接连接到V
CC
if
在V工作
CC
范围内。
地面：
对于所有内部电路。所有输入接地必须连接。
请勿使用：
不要使用这个球。这个球不应该被连接到任何电源，信号或
其他的球，而且必须悬空。
无连接：
脚必须悬空。
VCC
VCCQ
GND
DU
NC
动力
动力
动力
-
-
数据表
13
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
