GE28F320C3TC90 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GE28F320C3TC90
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内容描述：	高级+引导块闪存（ C3 ） [Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	68 页 / 1132 K
品牌：	INTEL [ INTEL CORPORATION ]

英特尔

高级+引导块闪存（ C3 ）

7.4

直流电压特性

表12.直流电压特性

符号

参数

CCQ

记

2.7 V–3.6 V

民

最大

2.7 V–2.85 V

1.65 V–2.5 V

民

最大

2.7 V–3.3 V

1.8 V–2.5 V

民

最大

单位

测试条件

输入低

电压

输入高

电压

输出低

电压

输出高

电压

锁相

输出电压

中

PROGRAM /

抹去

操作

PROG /

抹去

LOCK

电压

CCQ

PROG /

抹去

LOCK

电压

1,2

–0.4

2.0

0.22 V

CCQ

+0.3V

0.1

–0.4

CCQ

–

0.4V

-0.1

0.4

CCQ

+0.3V

0.1

–0.4

CCQ

–

0.4V

-0.1

0.4

CCQ

+0.3V

0.1

= V

民

CCQ

= V

CCQ

民

= 100

= V

民

CCQ

= V

CCQ

民

= –100

完整的写

保护

–0.1

PPLK

PP1

PP2

CCQ

–0.1V

1.0

1.65

11.4

3.6

12.6

CCQ

–

0.1V

1.0

1.65

11.4

3.6

12.6

CCQ

–

0.1V

1.0

1.65

11.4

3.6

12.6

LKO

1.5

LKO2

1.2

注意事项：

1.擦除和编程被禁止时， V

＆ LT ; V

PPLK

而不是有效V外保

V的范围

PP1

和V

PP2

2.应用V

= 11.4 V- 12.6在程序的V /擦除只能最多为1000个循环上的主块完成，并

2500周期的参数块。 V

可被连接到12伏，总共最多80小时。

数据表

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