英特尔
£
高级+引导块闪存（ C3 ）
6.6
电源去耦
闪存的电源开关特性需要仔细设备解耦。系统
设计人员应考虑以下三个供电电流的问题：
•
待机电流水平（我
CCS
)
•
了解目前的水平（我
CCR
)
•
瞬态峰值由下降和上升的CE＃边生产。
瞬态电流大小取决于设备的输出“容性和感性负载。双
行控制和适当的去耦电容的选择可以抑制这些瞬态电压尖峰。
每个闪存设备应该有一个0.1 μF的陶瓷电容器，连接各V之间
CC
和GND
和V之间
PP
和VSS 。这些高频率，固有的低电感电容应
被放置在尽可能靠近到封装引线。
7.0
7.1
警告：
.
热和DC特性
绝对最大额定值
强调该设备超越“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的损害。
这些压力额定值只。操作超出了“工作条件”不推荐，
并超越了“工作条件”长期暴露可能会影响器件的可靠性。
注意：
规格若有变更，恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售办事处，你有
敲定一个设计之前的最新数据表
.
参数
最大额定值
笔记
扩展工作温度
在读
在块擦除和编程
在偏置温度
储存温度
电压任意引脚（除V
CC
和V
PP
）相对于GND
V
PP
电压（块擦除和编程）相对于GND
V
CC
和V
CCQ
电源电压相对于GND
输出短路电流
-40 ° C至+85°C
-40 ° C至+85°C
-40 ° C至+85°C
-65 ° C至+125°C
-0.5 V至3.7 V
-0.5 V至13.5 V
-0.2 V至3.6 V
百毫安
4
1
1,2,3
注意事项：
1.最小直流电压为-0.5 V输入/输出引脚。在转换过程中，这种级别
下冲至-2.0 V的时期<20纳秒。在输入/输出引脚的最大直流电压为V
CC
+ 0.5V其中，在转换过程中，可能会过冲至V
CC
+ 2.0V的时间小于20纳秒。
在V 2.最大直流电压
PP
可能会过冲至14.0 V的时期<20纳秒。
3. V
PP
编程电压通常为1.65 V - 3.6 V连接到11.4 V- 12.6 V电源即可
最多为1000个循环上的主块和2500个周期的参数进行
在程序/擦除块。 V
PP
可被连接到12伏，总共最多80小时。
4.输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
34
数据表
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