E
1.0
智能3高级启动块
介绍
1.1
智能3高级启动块
闪存增强
该数据表包含了规格为
高级启动区块快闪记忆体系列，这是
低功耗，便携式系统进行了优化。这
系列产品拥有1.65 V - 2.5 V或2.7 V -
3.6 V的I / O和低V
CC
/V
PP
经营范围
2.7 V - 3.6 V的读取，编程和擦除
操作。此外，该系列能够快速
12五，编程整篇文档中，
术语“ 2.7 V ”指的是全电压范围
2.7 V - 3.6 V （除非另有说明），并
“V
PP
= 12 V “指的是12伏±5％。第1.0节和
2.0提供的闪速存储器系列的概述
包括应用程序，引脚和引脚说明。
第3.0节描述了记忆的组织和
操作这些产品。部分4.0和5.0
包含的操作规范。最后，
部分6.0和7.0提供订货等
参考信息。
智能3高级启动区块快闪记忆体
特点
•
•
•
增强的阻挡用于容易分割
代码和数据或附加的设计灵活性
程序挂起读取命令
V
CCQ
1.65 V- 2.5 V的所有I / O输入。看
图1至图4的引脚排列图和
V
CCQ
位置
最高纲领和擦除时间规范
对于改进的数据存储。
•
表1.智能3高级启动块功能摘要
特征
V
CC
读取电压
V
CCQ
I / O电压
V
PP
编程/擦除电压
总线宽度
速度
内存布局
28F008B3 ， 28F016B3 ，
28F032B3
(1)
28F400B3
(2),
28F800B3,
28F160B3 ， 28F320B3
参考
第4.2节， 4.4
第4.2节， 4.4
第4.2节， 4.4
表3
第4.5节
第2.2节
2.7 V– 3.6 V
1.65 V - 2.5 V或2.7 V - 3.6 V
2.7 V- 3.6 V或11.4 V- 12.6 V
8-bit
16位
80纳秒， 90纳秒，为100 ns ， 110 ns的
1024千位×8 （ 8兆比特） ，
2048千位×8 （ 16兆） ，
4096千位×8 （ 32兆位）
256千×16 （ 4兆位）
512千位×16 （ 8兆比特） ，
1024千位×16 （ 16兆位）
2048千位×16 （ 32兆）
阻塞（顶部或底部）
8个8字节的参数块
和
七64千字节块（ 4兆位）或
十五个64字节块（ 8兆位）或
三十一64 KB的主块（ 16兆位）
六十三的64 KB的主块（ 32兆位）
WP ＃锁定/解锁参数块
使用V所有其他块保护
PP
扩展： -40
°C
+85
°C
100,000次
40引脚TSOP
(1)
， 48球
μBGA *
CSP
(2)
48引脚TSOP ， 48球
μBGA
CSP
(2)
第2.2节
附录D
锁定
工作温度
编程/擦除循环
套餐
第3.3节
表8
第4.2节， 4.4
第4.2节， 4.4
图3，图4
注意事项：
1.
在40引脚TSOP不可用4 Mbit与32 Mbit的密度。
2.
在没有可用的4兆位密度
μBGA *
CSP 。
初步
5
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