英特尔
®
网络处理器IXP42X产品线和IXC1100控制平面处理器
当170 nF的是不方便的大小,NF可以使用150 nF的电容之间的值200
很少有不利的影响,假定200 - nF的电容器的有效串联电阻
在50毫欧。
为了实现一个200 nF的电容,两个100 - nF的电容的并联组合可能是
使用,只要该电容直接放置在彼此旁边。 V
SSP_OSC
包括两个销,
AD10和AF10 。确保这两个引脚连接,如图
图11 。
V
CCOSCP
电源滤波图
3.3 V
V
CCOSCP
170 nF的
V
SSOSCP
V
SS
V
SSOSCP
英特尔
®
IXP42X
产品线/
英特尔
®
IXC1100
控制平面
处理器
B1675-04
5.2.4
V
CCOSC
需求
10 nF的电容的并联组合 - 搭桥 - 和一个200 nF的电容 - 为一线
阶滤波器具有低于33兆赫的截止频率 - 必须被同时连接到第五
CCOSC
在IXP42X产品线和IXC1100控制平面处理器的引脚。
两个电容器的理由应连接至V
SSOSC
电源引脚。两个电容器
应当从V位于小于0.5英寸远
CCOSC
引脚和相关V
SSOSC
引脚。
为了实现一个200 nF的电容,两个100 - nF的电容的并联组合可能是
使用,只要该电容直接放置在彼此旁边。
图12 。
V
CCOSC
电源滤波图
1.3 V
英特尔
®
IXP42X
产品线/
英特尔
®
IXC1100
控制平面
处理器
10 nF的
100 nF的
100 nF的
V
SS
B1676-03
2005年3月
84
数据表
文档编号: 252479 ,修订: 005