28F200BX - T B 28F002BX - T B
英特尔的2兆位闪存系列是引导块架构的扩展，其中包括块selec-
略去擦除自动写入和擦除操作和标准的微处理器接口的2兆位闪存
存储器系列增强了引导块架构通过添加更多的密度和块X8 X16的输入输出
把控制超高速低功耗的行业标准ROM兼容的引脚排列和表面贴装
包装的2兆位闪存系列实现了一个简单的升级到英特尔的4 - Mbit的引导块闪存
家庭
英特尔28F200BX -TB是16位宽的闪存产品，这些高密度快闪记忆体提供
对于无论是8位或16位应用程序的28F200BX - T和28F200BX - B是用户可选择的总线操作
2组织成262或者144字节097 152位的非易失性存储器或信息131 072的话，他们
提供44引脚塑料SOP和56引脚TSOP封装的X8 X16引脚排列符合业界
标准ROM EPROM引脚排列
英特尔28F002BX -TB与组织为262 144个字节的2 097 152位8位闪存
这些信息均提供40引脚TSOP封装，非常适合空间受限的便携式
系统
这些器件采用一个集成的命令用户界面（CUI ）和写状态机（ WSM ）的简化
字字节写和块擦除的28F200BX -T 28F002BX -T提供数据块的位置兼容
Intel的MCS -186系列80286 I386
TM
i486
TM
i860
TM
和80960CA微处理器28F200BX -B
28F002BX -B提供与英特尔的80960KX和80960SX家庭的兼容性，以及其它嵌入式
微处理器
引导块包括数据保护功能，以保护关键应用有了启动代码
60 ns的最大访问时间这2兆位闪存设备都非常哪些接口高性能存储器
面对零等待状态，以广泛的微处理器和微控制器深度掉电模式
降低总V
CC
功率消耗为1
mW
通常这是在手持式电池供电系统中的关键
对于非常低的功率使用3 3V电源应用指的是英特尔28F200BX -TL BL 28F002BX -TL BL
2 - Mbit的引导块闪存系列数据表
英特尔的0 8微米ETOX III工艺制造的2兆位闪存家庭提供世界级的
在2兆比特密度级质量的可靠性和成本效益
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