28F200BX - T B 28F002BX - T B
该
状态寄存器（ SR ）
显示的状态
WSM以及是否WSM顺利完成
所需的程序或擦除操作
最大访问时间
60纳秒（T
加
)
实现
在商用温度范围（ 0℃至
70℃ ） 5 ％V
CC
电源电压范围（ 4 75V至
5 25V ）和30 pF的输出负载，请参考图19
t
加
与输出负载电容较大的输出
负载的最大访问时间
80纳秒（T
加
)
is
实现了在商用温度范围
10% V
CC
电源电压范围（ 4 5V至5 5V）和100pF的
输出负载
I
PP
最高纲领电流为40毫安X16
对于X8的操作我的操作和30mA
PP
抹去
电流为30 mA（最大值） V
PP
擦除和亲
编程电压为4V 11到12 6V （V
PP
e
12V
g
5 ％ ），在所有操作条件下，
作为选件
灰V
PP
也可以在10 8V至13 2V变化（V
PP
e
12V
g
10％）为100，保证数
块擦除周期
典型的我
CC
25毫安的工作电流
实现
对于X16产品（ 28F200BX ）
典型的我
CC
活跃
电流为20 mA
实现为x8的产品
（ 28F200BX 28F002BX ）请参阅我
CC
活跃的电流
租金降额曲线在这个数据表
2- Mbit的引导块闪存系列还设计
具有自动省电（ APS ）功能
最小化系统的电池的电流消耗，并允许
极低的功耗设计一旦设备处于激活
处理，以读取阵列数据APS模式将被立即
ately把内存中运行的静态模式
在那里我
CC
有源电流典型1毫安直到
下一次读取启动
当CE和RP引脚在V
CC
和
BYTE引脚（ 28F200BX只）是在任V
CC
or
在GND
CMOS待机
模式被使能，其中
I
CC
一般为50
mA
A
深度掉电模式
启用时，
RP引脚为地降低功耗
并在上电期间提供写保护CON-
ditions
I
CC
当前
在深度掉电模式
is
0 20
mA
典型
的初始最大存取时间
或复位300 ns的时间从RP是必需的
切换到输出有效等价的
器件具有215纳秒最大的唤醒时间，直到
写入命令的用户界面是recog-
的发布当RP是在地面WSM是重置
状态寄存器被清零，而整个装置是
被写入此功能保护预
通风口数据损坏，保护存储的代码
在系统上电时器件复位系统复位
引脚可连接到RP重置内存去甲
发作时启动复位引脚的阅读模式
与片内程序擦除自动化的
2 - Mbit的家庭和亲数据的RP功能
4
tection当CPU被复位，即使一个程序
或擦除命令发出后，设备将不会市盈率
ognize任何操作，直到RP返回到其正常
状态
对于28F200BX字节宽度或字宽在 -
把输出控制
可以通过控制
BYTE引脚当BYTE引脚为逻辑低电平
该装置是在字节宽模式的（x8）和数据是
读取并通过DQ 0 7写在字节级
宽屏幕模式DQ 8月14日处于三态和DQ15一
b
1
成为最低阶地址引脚当
BYTE引脚处于逻辑高的装置是在
字宽模式（ X16 ），数据被读取和写入
通过DQ 0 15
1 3应用
2- Mbit的引导块闪存系列结合了高
密度高性能的具有成本效益的闪存存储
法制前提与阻塞和硬件保护capabili-
TIES它的灵活性和多功能性将降低成本
在整个产品生命周期中的Flash存储器
非常适合刚刚在时间的生产流程减少系
统库存和成本，并消除分量
在生产阶段期间处理
产品的生命周期，当代码更新或功能恩
hancements成为必要的闪存意志
通过允许任何一个用户可降低更新成本
通过软盘或远程执行代码的变化
通过串行链路的2兆位引导块代码变化
闪存系列提供了全功能的闪存受阻
适用于广泛的应用范围的记忆
这些应用程序包括
扩展PC的BIOS
数字移动电话
程序和数据的存储
电信
引导固件和各种
其他嵌入式应用程序既
和数据存储要求
可重新编程的系统，如个人的COM
计算机都为2兆位闪存理想的应用
产品便携式和手持式个人电脑
应用正变得具有更复杂的
另外的电源管理软件采取AD-
最新的微处理器技术的优势
基于ROM的应用软件的可用性
电子手写和diag-手写板代码
诊断代码。图1示出了一个例子
28F200BX -T的应用
这增加了软件的复杂垫片
一个代码更新将被要求的概率
电脑在出厂时， 2兆位闪存产品后，
提供了注意 - 一种廉价的解决方案，更新
图书和手持式个人电脑，而EX-
抚育他们的产品生命周期。此外
2兆位闪存产品的省电模式提供
这些电池供电的便携式增加灵活性
这需要操作在非常低的功耗设计
水平
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
