3伏特英特尔
®
高级+引导块闪存堆叠- CSP系列
1.0
介绍
本文件包含的规格为3伏英特尔
®
高级+引导块闪存
存储器（ C3）堆叠式芯片级封装（堆叠- CSP ）装置。堆叠存储器解决方案
提供以下组合： 32兆位闪存+ 8兆位的SRAM ， 32兆位闪现+ 4兆位
的SRAM ， 16兆位闪存+ 4兆位的SRAM ，或16兆位闪存存储器+ 2兆位的SRAM 。
1.1
文档约定
在本文档中，下列约定已经被采纳。
•
电压：
“ 2.7 V ”指的是全电压范围， 2.7 V- 3.3V ; 12 V指的是11.4 V至12.6 V
•
主块（S ） ：
32 - K字块
•
参数块（S ） ：
4 ， K字块
1.2
产品概述
在C3堆叠CSP器件结合了闪存和SRAM到一个单一的封装，并提供安全的
低电压内存解决方案的便携式应用。该存储器系列结合2
存储器技术，闪速存储器和SRAM ，在一个封装中。闪速存储器提供
增强的安全特征，块锁定能力，允许任何瞬间锁定/解锁
零延迟和128位保护寄存器，使独特的设备闪存块
识别，以满足新一代便携式应用的需要。改进的12 V
生产编程可以用于提高工厂的吞吐量。
表1中。
块组织（ X16 ）
存储设备
32兆位闪存
16兆位闪存
2兆位的SRAM
4兆位的SRAM
8兆位的SRAM
注意：
所有的话都是每个16位。
K字
2048
1024
128
256
512
闪速存储器被不对称封端，以使代码和数据存储系统的集成
在单个设备中。其他的每个闪存块可独立擦除高达10万次。
闪光灯具有八个位于任一顶端（用-T后缀）或8 -KB的参数块
地址映射，以便底部（-B后缀），以适应不同的微处理器的协议
对于内核代码的位置。剩余的快闪存储器被划分为32千字主块。任何
单个闪存块可以被锁定或解锁即时提供完整的代码保护
或数据（见
有关详细信息） 。
闪光灯同时包含一个命令用户界面（CUI）和一个写状态机（ WSM） 。该
崔作为微控制器和闪存的内部运作之间的接口
内存。内部WSM自动执行必要的算法和定时
数据表
7
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