3伏特英特尔
®
高级+引导块闪存堆叠- CSP系列
编程和擦除操作，包括验证，从而unburdening微处理器或
微控制器。闪光灯的状态寄存器显示足见块WSM的状态
擦除或Word程序完成和状态。
Flash编程和擦除自动化允许使用执行编程和擦除操作
工业标准的双写的命令序列，以在CUI 。程序操作在执行
字的增量。擦除操作同时擦除一个区块内的所有位置。这两种方案
和擦除操作可以由系统软件，以便从任何其他闪存读暂停
块。此外，数据擦除暂停期间进行编程，以另一种闪存块。
在C3堆叠CSP存储设备提供两种低功耗节省特性：自动电源
储蓄（ APS ）的快闪记忆体和待机模式的闪存和SRAM 。自动装置
进入APS方式完成一个读周期从闪速存储器以下。待机模式
当系统通过驾驶F- CE ＃和S- CS1 ＃或取消该设备启动
S- CS2无效。省电功能显著降低功耗。
Flash存储器可以通过降低F- RP ＃到GND复位。这提供了CPU ，存储器复位
同步和对总线噪声的额外保护系统中可能发生的复位和
电/掉电序列。
1.3
72-
包装Ballout
图1. 66球堆叠芯片级封装
1
A
NC
B
2
3
A
20
A
16
4
A
11
A
8
5
A
15
A
10
A
21
6
A
14
A
9
7
A
13
8
9
10
11
12
NC
A
12
F- V
SS
F- V
CCQ
DQ
15
S- WE＃ DQ
14
DQ
7
DQ
13
DQ
6
DQ
4
DQ
5
C
F- WE＃ NC
D
S-V
SS
F- RP ＃A
22
E
F- WP ＃ F- V
PP
A
19
F
S- LB ＃ S- UB ＃ S- OE ＃
G
A
18
H
NC
NC
A
5
A
4
A
0
F- CE ＃ F- V
SS
F- OE ＃ NC
NC
A
17
A
7
A
6
A
3
A
2
A
1
S- CS
1
#
DQ
9
DQ
8
DQ
0
DQ
1
DQ
11
DQ
10
DQ
2
DQ
3
DQ
12
S- CS
2
S-V
CC
F- V
CC
顶视图，球向下
注意事项：
1.闪存升级球显示多达A21 （ 64兆位闪存）和A22 （ 128兆位闪存） 。在所有的闪存和SRAM
组合， 66球是在人口密度较低的设备。 （不填充上的地址球） 。球
位置A10是唯一16/2设备“NC” 。
8
数据表
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
