TE28F016B3TA90 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TE28F016B3TA90
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内容描述：	智能3高级启动块4-， 8-，16- ， 32兆位闪存系列 [SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY]
分类和应用：	闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小：	48 页 / 296 K
品牌：	INTEL [ INTEL CORPORATION ]

3.1.1

读

闪速存储器有四个可用的读取模式：

读阵列，读取识别，读取状态和读

查询。这些模式的独立访问

在V

电压。适当的阅读模式

命令必须颁发给崔进入

相应的模式。在初始器件上电

或复位退出后，设备会自动

默认读取阵列模式。

CE ＃和OE ＃必须驱动为有效获取数据

在输出端。 CE ＃是设备选择控制;

活性时，它可以使闪存设备。

OE＃为数据输出控制和它的驱动器的

选择的存储数据到I / O总线。对于所有的读

模式， WE＃和RP ＃必须在V

。图7

示出了一个读周期。

3.1.2

输出禁用

智能3高级启动块

如果RP ＃被拉低的时间t

PLPH

在节目

或擦除操作，该操作将被中止

并在中止的位置存储内容

（为一个程序）或块（擦除）不再

有效的，因为数据可能会被部分地擦除或

写的。中止过程经历了

以下序列：当RP ＃变低时，

设备关闭运行中的进步，

过程需要时间t

PLRH

来完成。后

这个时间t

PLRH

，该部分将复位阅读

阵列模式（如果RP ＃已经吨时高了

PLRH

图9B ），或输入复位模式（如果RP ＃依然是逻辑

小T后

PLRH

，图9C）。在这两种情况下，后

从中止操作返回，相关

时间T

PHQV

或T

PHWL

PHEL

之前，必须等待

读或写操作被启动，如在讨论

前面的段落。然而，在这种情况下，

这些延迟都参考吨的端

PLRH

而不是当RP ＃变高。

与任何自动化设备，重要的是要

断言RP ＃在系统复位。当系统

来自复位后，处理器预计从阅读

闪速存储器。自动化的快闪记忆体

提供状态信息中读出时

程序或块擦除操作。如果CPU复位

发生在没有闪存复位，适当的CPU

初始化可能不会发生，因为闪光灯

内存可提供状态信息

而不是阵列的数据。英特尔的快闪存储器，可以实现

合适的CPU初始化在系统复位后

通过使用反相＃输入的。在本申请中，

RP ＃由相同RESET＃信号控制该

复位系统的CPU。

3.1.5

写

用OE ＃为逻辑高电平（V

），该装置

输出被禁止。输出引脚被放置在一个

高阻抗状态。

3.1.3

待机

通过将CE＃到逻辑取消选择器件

高电平（V

）将器件置于待机模式，

这大大降低了设备功耗

没有任何延迟后续消费

读访问。在待机状态下，输出端被放置在一个

高阻抗状态无关的OE ＃。如果

在程序取消或擦除操作时，

设备继续消耗有功功率，直到

编程或擦除操作完成。

3.1.4

深度掉电/复位

从读模式，在V RP ＃

为时间t

PLPH

取消选择内存，并将输出驱动器的

高阻抗状态，并熄灭所有的内部

电路。从回归复位，时间t后

PHQV

直到所需的初始读访问输出

有效的。延迟（T

PHWL

或T

PHEL

）后，需要

从重置回写才能开始。

此唤醒间隔后，在正常操作是

恢复。崔复位到读阵列模式，

状态寄存器被置为80H。这种情况下，显示

在图9A中。

写发生在两个CE＃和WE ＃是

低和OE ＃为高电平。命令被写入到

使用标准的命令用户界面（CUI ）

微处理器写时序控制闪光

操作。崔不占用

可寻址的存储器位置。的地址和

数据总线锁存的上升沿

第二WE＃或CE ＃脉冲，以先到为准。

图8示出了一个程序和擦除操作。

可用的命令显示在表6中，并

附录A提供的详细信息

操作的不同模式之间的移动

使用CUI命令。

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