智能3高级启动块
E
名称和功能
该引脚说明表详细列出了每个器件引脚的使用。
表2.智能3高级启动块引脚说明
符号
A
0
–A
21
TYPE
输入
地址输入
为存储器地址。地址是内部
在编程或擦除周期锁定。
28F008B3 ： A [ 0-19 ] ， 28F016B3 ： A [ 0-20 ] ， 28F032B3 ： A [ 0-21 ]
28F800B3 ： A [ 0-17 ] ， 28F800B3 ： A [ 0-18 ] ， 28F160B3 ： A [ 0-19 ]
28F320B3 ： A [ 0-20 ]
数据输入/输出：
输入第二CE＃阵列的数据和
程序命令期间WE＃周期。输入命令到
当CE＃和WE ＃信号有效命令的用户界面。数据
内部锁存。输出数组，标识和状态寄存器的数据。该
数据引脚浮动到三态时，该芯片被取消选择或输出
禁用。
数据输入/输出：
输入第二CE＃阵列的数据和
程序命令期间WE＃周期。数据在内部锁存。
输出数组和标识符的数据。数据引脚浮到三态时，
芯片被去选择。
不包括对X8产品。
CHIP ENABLE ：
激活内部控制逻辑，输入缓冲器，
解码器和读出放大器。 CE＃为低电平有效。 CE＃高去选择
存储装置和功耗降低至备用水平。
OUTPUT ENABLE ：
通过数据使能器件的输出
在读取操作期间缓冲器。 OE ＃为低电平有效。
写使能：
控制写入命令寄存器和内存
数组。 WE＃为低电平有效。地址和数据被锁存的上升
第二WE＃脉冲的边缘。
RESET /深度掉电：
采用两个电压等级（V
IL
, V
IH
）以
控制复位/深度掉电模式。
当RP ＃为逻辑低电平时，器件处于复位/深度掉电
模式，
它驱动输出高阻，复位写状态
机，并最大限度地减少电流电平（I
CCD
).
当RP ＃处于逻辑高电平时，设备处于标准操作。
当从逻辑低到逻辑高RP ＃转换，设备重置所有
块锁定，默认为读阵列模式。
DQ
0
-DQ
7
输入/输出
DQ
8
-DQ
15
输入/输出
CE＃
输入
OE ＃
WE＃
输入
输入
RP ＃
输入
WP ＃
输入
写保护：
提供用于锁定和解锁2的方法
可锁定参数块。
当WP ＃处于逻辑低时，可锁定块锁定，
防止编程和擦除操作的那些块。如果一个节目
或擦除操作是在试图锁定块， SR.1 ，要么SR.4
[程序]或SR.5 [删除]将被设置为显示操作失败。
当WP ＃为逻辑高电平时，可锁定块解锁
和
可以被编程或擦除。
请参见第3.3节上写保护的详细信息。
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初步
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