智能3高级启动块
E
描述
修订历史
数
-001
-002
蓝本
第3.4节，
V
PP
编程和擦除电压，
额外
更新图9 ：
自动块擦除流程图
更新图10 ：
擦除挂起/恢复流程
（添加程序表）
更新图16 ：
AC波形：编程和擦除操作
（更新注意事项）
I
PPR
从± 25最大规格变更
µA
±50
µA
编程和擦除挂起延迟规格变更
更新附录A ：
订购信息
（包括8 M和4M的信息）
更新图，附录D ：
体系结构框图
（块的信息。在不言
字节）
轻微的措辞变化
结合字节宽规格（以前290605 ）本文件
提高速度规格，以80纳秒（ 3.0 V）和90纳秒（ 2.7 V ）
提高了1.8 VI / O选项，以最低1.65 V （ 3.4节）
改进的几个直流特性（ 4.4节）
改进的几个AC特性（第4.5和4.6 ）
结合2.7 V和1.8 V直流特性（ 4.4节）
加入5 V V
PP
读取规格（ 3.4节）
除去120纳秒至150纳秒的速度发行
移动
订购信息
从附录第6.0节;最新信息
移动
附加信息
从附录第7.0节
更新图附录B ，
访问时间 - 容性负载
更新图附录C ，
体系结构框图
移动编程和擦除流程图附录E.
更新
程序流程图
更新
程序挂起/恢复流程
整个次要的文字编辑。
增加了32兆位密度
加入98H为一个保留命令（表4）
A
1
–A
20
= 0时读取识别模式（第3.2.2节）
状态寄存器的澄清SR3 （表7 ）
V
CC
和V
CCQ
绝对最大规格= 3.7 V（ 4.1节）
结合我
PPW
我
CCW
在一个规范（第4.4节）
结合我
PPE
我
CCE
在一个规范（第4.4节）
最大参数块擦除时间（t
WHQV2
/t
EHQV2
）减少到4秒（ 4.7节）
最大主块擦除时间（t
WHQV3
/t
EHQV3
）减少到5秒（ 4.7节）
擦除挂起时间@ 12 V （T
WHRH2
/t
EHRH2
）更改为5微秒典型和20微秒
最大（ 4.7节）
订购信息
更新（第6.0节）
写状态机当前/下一个状态表更新（附录A ）
程序挂起/恢复流程更新（附录F ）
擦除挂起/恢复流程更新（附录F ）
文字说明整个
μBGA
校正的包图（图3和4）
I
PPD
测试条件校正（第4.4节）
修正32 - Mbit的订购信息（第6章）
μBGA
补充包顶部标记信息（第6章）
-003
-004
-005
4
初步
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