TE28F016B3TA90 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TE28F016B3TA90
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内容描述：	智能3高级启动块4-， 8-，16- ， 32兆位闪存系列 [SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY]
分类和应用：	闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小：	48 页 / 296 K
品牌：	INTEL [ INTEL CORPORATION ]

智能3高级启动块

1.2

产品概述

英特尔提供了最灵活的解决方案，电压

闪存行业，提供三个独立的电压

电源引脚： V

对于读操作，V

CCQ

输出

摆动，和V

编程和擦除操作。所有

智能3高级启动区块快闪记忆体

产品提供编程/擦除功能，在2.7 V

或12 V [快速生产编程]和读取

随着V

在2.7 V.由于许多设计从读

闪速存储器的时间的很大比例，

2.7 V V

操作可提供大量的电力

节约。

智能3高级启动区块快闪记忆体

产品有两种x8或x16封装

在以下密度：（见

订购信息

可用性）。

•

4兆位（ 4,194,304位）闪存举办

256 K字的16位或每512字节的

每个8位

8兆位（ 8,388,608位）闪存举办

512 K字的16位或每1024字节

8位每

16-Mbit

(16,777,216-bit)

FL灰

内存

组织为1024 K字的16位或每

2048字节的每8位

32-Mbit

(33,554,432-bit)

FL灰

内存

组织为2048 K字的16位或每

每个8位4096字节

命令用户界面（CUI ）作为

接口

间

该

微处理器

微控制器和的内部运作

闪存。内部写状态机

（ WSM ）自动执行的算法和

必要的编程和擦除时序

操作，包括验证，因此非

负担微处理器或微控制器。

状态寄存器指示WSM状态

通过标志着块擦除或Word程序

完成和状态。

智能3高级启动块闪存

还设计有一个自动节能

（ APS）的功能，它最大程度地减少系统的电流

漏，允许非常低的功耗设计。这

模式进入完成一个读以下

周期（大约300纳秒更高版本）。

在RP ＃引脚提供了对额外的保护

期间可能发生的不必要的命令写入

由于系统复位和上电/下转换序列

无效的系统总线条件（见第3.6节）。

第3.0节给出了详细的解释

不同的操作模式。完整的电流和

电压规格可以在被发现

特征

部分。请参阅

AC特性

读取，编程和擦除性能

特定连接的阳离子。

•

2.0

产品说明

该参数块位于任一顶端

的（由-T后缀表示）或底部（-B后缀）

地址映射，以适应不同

微处理器协议内核代码的位置。

上面的两个（或两个低）参数可以阻止

被锁定为提供完整的代码安全

系统初始化代码。锁定和解锁是

通过WP ＃控制（参见3.3节的详细信息）。

本节介绍了器件的引脚说明和

封装引脚。

2.1

封装引脚分配

智能3高级启动块闪存

在40引脚TSOP （ X8 ，图1 ），48引线

TSOP （ x16的，图2）和48球

μBGA

套餐

（ x8和x16 ，分别如图3和图4）。在

所有的人物，引脚变化所需的密度

升级已经盘旋。

初步

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