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描述
补充图4 ，
3伏特英特尔的StrataFlash
®
内存VF BGA封装（ 32兆）
添加图5 ，
3伏特英特尔的StrataFlash
®
内存VF BGA机械
特定网络阳离子
更新的工作温度范围为扩展（第6.1节和表22 ）
07/27/01
-009
降低吨
EHQZ
到35纳秒。降低吨
WHEH
0 NS
为-40添加的参数值℃的操作锁定位和暂停延迟
更新V
LKO
和V
PENLK
以2.2 V
去掉注释＃ 4 ，第6.4节和6.6节
次要文本编辑
下引线说明添加笔记VF BGA封装
根据AC特性3.6 V的Vcc和VCCQ栏目 - 删除3.0 V
10/31/01
-010
除去字节模式读取当前行未DC特性
为VF BGA封装补充订货信息
次要文本编辑
更改的数据表，以反映当前最佳已知方法
为清除块锁定位时更新最大值
次要文本编辑
加入命名为J3C （0.18微米）的设备。
增加了115 ns的存取速度为64Mb J3C设备。加入120 ns访问速度128
MB J3C设备。加入“TE”封装标识为J3C TSOP封装。
修订后的异步页读说明。修订后的写入到缓冲区流
图。更新的时序波形。增加了256兆位J3C引脚排列。
加入的256Mbit设备定时，设备ID，和CFI的信息。还修正
VLKO规范。
纠正的内存块数从257到255 。
内存块计数修复。
重组数据表的布局。
增加了无铅部件号和8字的页面信息。
补充说明直流电压特性表; “速度斌”于读操作
表;对于AC波形的复位操作画面更正格式;更正
“ R”和“ 8W ”，在增强配置寄存器表的标题，因为他们
照搬;增加了802和803的订购信息和纠正56-
引脚TSOP组合号码。
纠正订购信息。
03/21/02
-011
12/12/02
01/24/03
12/09/03
1/3/04
1/23/04
1/23/04
5/19/04
7/7/04
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11/23/04
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3/24/05
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6
数据表
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
