TE28F128J3C-150 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TE28F128J3C-150
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内容描述：	英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） [Intel StrataFlash Memory (J3)]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	72 页 / 909 K
品牌：	INTEL [ INTEL CORPORATION ]

修订历史

日期

调整

07/07/99

08/03/99

09/07/99

VERSION

-001

-002

-003

蓝本

–A

程序框图上显示

变化最小的块擦除时间，我

, I

，页面模式和字节模式

电流。修改RP ＃上

AC波形的写操作

更改的块擦除时间，T

AVWH

除去5 V的I / O操作的所有引用

更正

订购信息，

有效的项目组合

12/16/99

-004

改变闵节目时间211微秒

杜添加铅说明表

改变芯片级封装，以球栅阵列封装

更改默认的阅读模式页面模式

除去擦除从图10排队，

块擦除流程图

加入计划的最大时间

新增擦除最大时间

增加了最大页面模式读取电流

移动表与对应的部分

在订购信息和直流参数表修正印刷错误

去掉V

CCQ1

设置和更改V

CCQ2/3

到V

CCQ1/2

03/16/00

-005

为STS引脚添加推荐的电阻值

改变操作温度范围

移除请注意， RP ＃可以到14 V

去掉V

为0.45伏;去掉V

2.4 V

我更新

CCR

典型值

增加最大的锁位程序和锁定时间

补充说明上最大的测量

更新封面为700万台，声明一个十亿

06/26/00

-006

更正表10显示正确的最高纲领次

在最大块程序的时间在6.7节更正错误

6.7节更正典型的擦除时间

更新封面页，以反映100K最小擦除周期

更新封面页，以反映110 ns的32M读取速度

从表4中删除设置读取配置命令

更新了表8 ，以反映预留位是1-7;没有2-7

更新了表16位2的定义从研发到PSS

2/15/01

-007

改变了V

PENLK

从0.8 V至2.0 V最大电压，第6.4节，

特征

更新32兆读取参数R1 ， R2和R3反映110ns的，第6.5节，

AC特性只读操作

(1,2)

更新写入参数W13 （T

WHRL

）从90纳秒到500纳秒，第6.6节，

特点 - 写操作

更新最大。程序挂起延迟W16 （T

WHRH1

）从30至75微秒，

第6.7节，

块擦除，编程和锁定位配置性能

描述

(1,2,3)

04/13/01

-008

经修订的第7.0节，

订购信息

数据表

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