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    TE28F320C3BC70 参数 Datasheet PDF下载

    TE28F320C3BC70图片预览
    型号： TE28F320C3BC70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高级+引导块闪存（ C3 ） [Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 68 页 / 1132 K
    品牌： INTEL [ INTEL CORPORATION ]
     浏览型号TE28F320C3BC70的Datasheet PDF文件第35页浏览型号TE28F320C3BC70的Datasheet PDF文件第36页浏览型号TE28F320C3BC70的Datasheet PDF文件第37页浏览型号TE28F320C3BC70的Datasheet PDF文件第38页浏览型号TE28F320C3BC70的Datasheet PDF文件第40页浏览型号TE28F320C3BC70的Datasheet PDF文件第41页浏览型号TE28F320C3BC70的Datasheet PDF文件第42页浏览型号TE28F320C3BC70的Datasheet PDF文件第43页  
    英特尔
    £
    高级+引导块闪存（ C3 ）
    8.0
    8.1
    AC特性
    AC阅读特点
    表13.读操作- 8兆位密度
    密度
    产品
    #
    符号
    参数
    V
    CC
    记
    3.0 V – 3.6 V
    民
    最大
    2.7 V – 3.6 V
    民
    最大
    3.0 V – 3.6 V
    民
    最大
    2.7 V – 3.6 V
    民
    最大
    90纳秒
    8兆位
    110纳秒
    单位
    R1
    R2
    R3
    R4
    R5
    R6
    R7
    R8
    R9
    t
    AVAV
    t
    AVQV
    t
    ELQV
    t
    GLQV
    t
    PHQV
    t
    ELQX
    t
    GLQX
    t
    EHQZ
    t
    GHQZ
    t
    OH
    读周期时间
    地址输出延迟
    CE＃到输出延迟
    OE ＃到输出延迟
    RP ＃到输出延迟
    CE＃到输出中低Z
    OE ＃到输出中低Z
    CE＃到输出中高Z
    OE ＃到输出中高Z
    从输出保持
    地址， CE ＃或OE ＃
    变化，无论
    发生网络RST
    3,4
    3,4
    1,3,4
    1,3,4
    3,4
    2,3,4
    2,3,4
    2,3,4
    2,3,4
    80
    80
    80
    30
    150
    0
    0
    20
    20
    90
    90
    90
    30
    150
    0
    0
    20
    20
    100
    100
    100
    30
    150
    0
    0
    20
    20
    110
    110
    110
    30
    150
    0
    0
    20
    20
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    R10
    2,3,4
    0
    0
    0
    0
    ns
    注意事项：
    1. OE ＃可能会延迟到t
    ELQV-
    t
    GLQV
    的CE＃没有对T的影响下降沿后
    ELQV
    .
    2.采样，而不是100 ％测试。
    3.请参阅
    图8 ， “读操作波形”第42页。
    4.查看
    图11 ， “AC输入/输出参考波形”第49页
    定时测量和最大允许输入
    摆率。
    数据表
    39

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