英特尔
£
高级+引导块闪存（ C3 ）
8.2
AC写特性
表17.写操作- 8兆位密度
密度
产品
#
符号
参数
V
CC
2.7 V – 3.6 V
记
民
90
民
民
110
民
3.0 V – 3.6 V
80
90纳秒
8兆位
110纳秒
100
单位
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
W10
W11
W12
W13
W14
t
PHWL
/
t
PHEL
t
ELWL
/
t
WLEL
t
WLWH
/
t
ELEH
t
DVWH
/
t
DVEH
t
AVWH
/
t
AVEH
t
WHEH
/
t
EHWH
t
WHDX
/
t
EHDX
t
WHAX
/
t
EHAX
t
WHWL /
t
EHEL
t
VPWH
/
t
VPEH
t
QVVL
t
BHWH
/
t
BHEH
t
QVBL
t
WHGL
RP ＃高价回收到WE＃ （ CE ＃ ）走出低
CE ＃ （ WE＃ ）设置为WE＃ （ CE ＃ ）走出低
WE＃ （ CE ＃ ）脉冲宽度
数据建立到WE＃ （ CE ＃ ）变为高电平
地址设置到WE＃ （ CE ＃ ）变为高电平
CE ＃ （ WE＃ ）保持时间从WE＃ （ CE ＃ ）高
数据保持时间从WE＃ （ CE ＃ ）高
从WE＃ （ CE ＃ ）高地址保持时间
WE＃ （ CE ＃ ）脉冲宽度高
V
PP
安装到WE＃ （ CE ＃ ）变为高电平
V
PP
从有效SRD举行
WP ＃安装到WE＃ （ CE ＃ ）变为高电平
从有效SRD WP ＃保持
WE＃高到OE ＃去低
4,5
4,5
4,5
2,4,5
2,4,5
4,5
2,4,5
2,4,5
2,4,5
3,4,5
3,4
3,4
3,4
3,4
150
0
50
50
50
0
0
0
30
200
0
0
0
30
150
0
60
50
60
0
0
0
30
200
0
0
0
30
150
0
70
60
70
0
0
0
30
200
0
0
0
30
150
0
70
60
70
0
0
0
30
200
0
0
0
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1.把脉冲宽度（T
WP
）从CE＃定义或WE ＃变低（取变低为止） ，以CE ＃或WE ＃变为高电平（取
进入高一） 。因此，T
WP
= t
WLWH
= t
ELEH
= t
WLEH
= t
ELWH
。同样地，把脉冲宽度高（T
WPH
）从CE ＃定义或
WE＃变高（取变高第一），以CE ＃或WE ＃变低（取变低为止） 。因此，
t
WPH
= t
WHWL
= t
EHEL
= t
WHEL
= t
EHWL
.
2.参考
为有效的A
IN
或D
IN
.
3.取样，但不是100 ％测试。
4.查看
定时测量和最大允许输入
摆率。
5.请参阅
数据表
43
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