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RFD14N05LSM 参数 Datasheet PDF下载

RFD14N05LSM图片预览
型号: RFD14N05LSM
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内容描述: 14A , 50V , 0.100欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET [14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 78 K
品牌: INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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RFD14N05L , RFD14N05LSM , RFP14N05L
典型性能曲线
50
I
AS
,雪崩电流( A)
除非另有规定编
(续)
35
30
I
D
,漏电流( A)
25
20
15
10
5
0
V
GS
= 3V
V
GS
= 2.5V
0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
DS
,漏源极电压( V)
7.5
脉冲宽度=为80μs ,T
C
= 25
o
C
占空比= 0.5 % MAX 。
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4V
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
如果R = 0
t
AV
= (L)(我
AS
) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
1
若R
0
t
AV
= ( L / R) LN [(我
AS
* R ) / ( 1.3 *额定BV
DSS
-V
DD
) +1]
0.01
0.1
1
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
10
注:请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
I
DS ( ON)
,漏源电流(A)
35
-55
o
C
175
o
C
r
DS ( ON)
,漏极到源极
ON电阻(mΩ )
30
25
20
15
10
5
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
GS
,门源电压( V)
7.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX 。
V
DD
= 15V
25
o
C
250
I
D
= 7A
200
I
D
= 14A
I
D
= 28A
150
100
I
D
= 3.5A
50
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX 。
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
GS
,门源电压( V)
5.0
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
160
140
切换时间(纳秒)
120
100
80
V
DD
= 25V ,我
D
= 14A ,R
L
= 3.57Ω
2.5
t
D(关闭)
归一漏极至源极
抗性
2.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX 。
V
GS
= 10V ,我
D
= 14A
t
r
t
f
1.5
60
40
t
D(上)
20
0
0
20
30
40
10
R
GS
,门源电阻( Ω )
50
1.0
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
,结温(
o
C)
200
图10.开关时间与栅极电阻
图11.归一漏极至源极ON
电阻与结温
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