欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IRF1010EPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF1010EPBF图片预览
型号: IRF1010EPBF
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 232 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
 浏览型号IRF1010EPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF1010EPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF1010EPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF1010EPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF1010EPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF1010EPBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF1010EPBF的Datasheet PDF文件第8页  
IRF1010EPbF
15V
E
AS
, Single Pulse Avalanche Energy (mJ)
800
TOP
600
VDS
L
DRIVER
BOTTOM
ID
20A
35A
50A
RG
20V
V
GS
D.U.T
IAS
tp
+
V
- DD
A
400
0.01
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
V
(BR)DSS
tp
200
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T
J
, Junction Temperature (
°
C)
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I
AS
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50KΩ
Q
G
12V
.2µF
.3µF
V
GS
Q
GS
V
G
Q
GD
V
GS
3mA
D.U.T.
+
V
-
DS
Charge
I
G
I
D
Current Sampling Resistors
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
6
www.irf.com