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IRFP064N 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	IRFP064N
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内容描述：	功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 0.008ohm ，ID = 110A ） [Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=110A)]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 109 K
品牌：	INFINEON [ Infineon ]

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IRFP064N

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit

+

Circuit Layout Considerations

• Low Stray Inductance

• Ground Plane

• Low Leakage Inductance

Current Transformer

D.U.T

-

+

-

-

+

R_G

• dv/dt controlled by R_G

+

-

• Driver same type as D.U.T.

• I_SDcontrolled by Duty Factor "D"

• D.U.T. - Device Under Test

V_DD

Driver Gate Drive

P.W.

Period

Period

D =

P.W.

V

=10V

*

GS

D.U.T. I Waveform

SD

Reverse

Recovery

Current

Body Diode Forward

Current

di/dt

D.U.T. V Waveform

DS

Diode Recovery

dv/dt

V

DD

Re-Applied

Voltage

Body Diode

Forward Drop

Inductor Curent

I

SD

Ripple ≤ 5%

* V_GS= 5V for Logic Level Devices

Fig 14. For N-Channel HEXFETS

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