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IRL3103 参数 Datasheet PDF下载

IRL3103图片预览
型号: IRL3103
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内容描述: 功率MOSFET ( VDDS = 30V , RDS(ON) = 12mohm ,ID = 64A ) [Power MOSFET(Vdds=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲数据分配系统局域网
文件页数/大小: 8 页 / 214 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRL3103
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T
*
+
ƒ
-
+
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
‚
-
-
„
+

R
G
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
+
-
V
DD
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
[
V
GS
=10V
] ***
D.U.T. I
SD
Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. V
DS
Waveform
Diode Recovery
dv/dt
[
V
DD
]
Re-Applied
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Forward Drop
Ripple
5%
[
I
SD
]
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For N-channel
HEXFET
®
power MOSFETs
www.irf.com
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