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IPS521G 参数 Datasheet PDF下载

IPS521G图片预览
型号: IPS521G
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内容描述: 充分保护高侧功率MOSFET开关 [FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH]
分类和应用: 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 140 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IPS521G
静态电气特性
(T J = 25
o
C, Vcc的= 14V ,除非另有规定)。
符号参数
RDS ( ON)
@Tj=25
o
C
分钟。
o
典型值。
80
80
125
55
56
0.9
13
0.6
20
0.4
50
2.2
1.9
70
0.25
马克斯。单位测试条件
100
100
160
35
65
1.2
50
2
120
25
10
3
200
0.5
V
µA
V
VIN = 5V
VIN = 5V , IOUT = 5A
mΩ
VIN = 5V , IOUT = 2.5A
VIN = 5V , IOUT = 5A
通态电阻TJ = 25℃
通态电阻@ VCC = 6V
通态电阻TJ = 150
o
C
工作电压范围
VCC为OUT钳位电压1
VCC为OUT钳位电压2
体二极管正向电压
电源电流关断时
电源电流时ON
纹波电流时ON (交流有效值)
低级别的诊断输出电压
输出漏电流
输出漏电流
诊断输出漏电流
在高阈值电压
低阈值电压
ON状态,正电流
输入滞后
5.5
50
0
1
0.1
RDS ( ON)
(V CC = 6V )
RDS ( ON)
@Tj=150
o
C
VCC OPER 。
V
CLAMP 1
V
CLAMP 2
Vf
ICC关闭
国际刑事法院对
ICC交流
Vdgl
IOH
IOL
IDG
泄漏
V
µA
mA
µA
V
µA
ID = 10毫安
(见图1和2 )
ID = Isd的
(见图1和2 )
ID = 2.5A , VIN = 0V
VIN = 0V时,VOUT = 0V
VIN = 5V
VIN = 5V
IDG = 1.6毫安
VOUT = 6V
VOUT = 0V
VDG = 5.5V
VIH
VIL
IIN,上
在HYST 。
开关电气特性
VCC = 14V ,电阻性负载= 2.8Ω ,T
j
= 25
o
℃(除非另有规定) 。
?符号
参数
Tdon
导通延迟时间
Tr1
上升时间输出电压= Vcc的 - 5V
Tr2
上升时间为VCC - 5V至输出电压= 90 %的Vcc的
的dV / dt (上)打开D V / DT
开启能量
TD关闭
打开-O FF延迟时间
Tf
下降时间为VOUT = Vcc的10 %
的dV / dt (关闭)关闭D V / DT
EOFF
关闭能源
Tdiag
VOUT为Vdiag传播延迟
分钟。
a
a
a
a
典型值。马克斯。单位测试条件
10
25
130
0.7
1500
35
16
0.9
250
5
40
60
200
2
70
50
3
15
µs
见图3
V / μs的
µJ
µs
V / μs的
µJ
µs
参见图4
参见图6
www.irf.com
3