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    IPS521G 参数 Datasheet PDF下载

    IPS521G图片预览
    型号： IPS521G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 充分保护高侧功率MOSFET开关 [FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH]
    分类和应用： 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 140 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IPS521G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IPS521G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPS521G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPS521G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPS521G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPS521G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPS521G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IPS521G的Datasheet PDF文件第9页  
    IPS521G
    15
    3500
    3000
    阻性负载
    10
    2500
    2000
    宙
    EOFF
    5
    1500
    1000
    500
    0
    -50
    0
    50
    100
    150
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    图13 - 伊利姆（A ）与TJ （
    o
    C)
    图14 - 李炎，的Eoff （ μJ ） VS IOUT（ A）
    10000
    150
    125
    I = I最大VS吸纳。 （参见图10 ）
    1000
    诊断上的空白
    100
    100
    I=1.5A
    75
    10
    50
    1
    25
    诊断断消隐
    1E+01
    1E+02
    1E+03
    1E+04
    1E+05
    1E+06
    0.1
    0
    0
    1
    2
    3
    图15 - 宙（ μJ ）与负载电感（ μH ）
    （参见图3）
    图16 - Diag（诊断）消隐时间（μs ） VS IOUT（ A）
    （阻性负载 - 见图6）
    8
    www.irf.com

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