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    IRF1010EPBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRF1010EPBF图片预览
    型号： IRF1010EPBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 232 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRF1010EPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF1010EPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF1010EPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF1010EPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF1010EPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF1010EPBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF1010EPBF的Datasheet PDF文件第8页  
    IRF1010EPbF
    电气特性@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    V
    （ BR ） DSS
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    L
    D
    L
    S
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    E
    AS
    参数
    漏极至源极击穿电压
    击穿电压温度。系数
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    内部排水电感
    内部源极电感
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    单脉冲雪崩能量
    ‚
    分钟。
    60
    –––
    –––
    2.0
    69
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    MAX 。单位
    条件
    –––
    V
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    --- V / ° C参考到25° C，I
    D
    = 1毫安
    12
    毫欧V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 50A
    „
    4.0
    V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    –––
    S
    V
    DS
    = 25V ，我
    D
    = 50A„
    25
    V
    DS
    = 60V, V
    GS
    = 0V
    µA
    250
    V
    DS
    = 48V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 150°C
    100
    V
    GS
    = 20V
    nA
    -100
    V
    GS
    = -20V
    130
    I
    D
    = 50A
    28
    nC
    V
    DS
    = 48V
    44
    V
    GS
    = 10V ，参照图6和13
    –––
    V
    DD
    = 30V
    –––
    I
    D
    = 50A
    ns
    –––
    R
    G
    = 3.6Ω
    –––
    V
    GS
    = 10V ，参照图10
    „
    铅之间，
    4.5
    –––
    6毫米（0.25英寸）。
    nH
    G
    从包
    7.5
    –––
    而中心的模具接触
    3210 –––
    V
    GS
    = 0V
    690 –––
    V
    DS
    = 25V
    140 –––
    pF
    ƒ = 1.0MHz的，见图。五
    1180 ?? 320 ??兆焦耳我
    AS
    = 50A ，L = 260μH
    典型值。
    –––
    0.064
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    12
    78
    48
    53
    D
    S
    源极 - 漏极额定值和特性
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    t
    on
    注意事项：
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    向前开启时间
    分钟。典型值。马克斯。单位
    条件
    D
    MOSFET符号
    ––– ––– 84‡
    展示
    A
    G
    整体反转
    ––– ––– 330
    S
    p-n结二极管。
    ––– ––– 1.3
    V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 50A ，V
    GS
    = 0V
    „
    ––– 73 110
    ns
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = 50A
    ––– 220 330
    NC的di / dt = 100A / μs的
    „
    固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
    S
    +L
    D
    )
    
    重复评价;脉冲宽度有限的
    ‚
    起始物为
    J
    = 25℃时，L = 260μH
    最大。结温。 （参见图11）
    操作之外的额定范围。
    R
    G
    = 25Ω, I
    AS
    = 50A ，V
    GS
    = 10V （见图12）
    †
    这是限定至T的计算值
    J
    = 175°C .
    ‡
    基于最大允许计算出的连续电流
    ƒ
    I
    SD
    ≤
    50A ， di / dt的
    ≤
    230A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    （ BR ） DSS
    ,
    结温。套餐限制电流为75A 。
    T
    ≤
    175°C
    J
    „
    脉冲宽度
    ≤
    400μS ;占空比
    ≤
    2%.
    …
    这是在破坏设备的典型值，代表
    2
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