IRF1404PBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF1404PBF
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内容描述：	HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	10 页 / 198 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

IRF1404PbF

1000

占空比=单脉冲

雪崩电流（ A）

0.01

100

0.05

0.10

允许雪崩电流与

雪崩脉冲宽度， TAV

假设

∆

TJ =由于25℃

雪崩损失

1.0E-08

1.0E-07

1.0E-06

1.0E-05

1.0E-04

1.0E-03

1.0E-02

1.0E-01

TAV （秒）

图15 。

典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth

400

350

EAR ，雪崩能量（兆焦耳）

300

250

200

150

100

顶部

单脉冲

BOTTOM 10 ％占空比

ID = 121A

100

125

150

开始T J ，结温（ ° C）

对重复性雪崩曲线指出，图15，图16 ：

（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）

1.雪崩失效的假设：

纯粹的热现象而发生故障时，在一个

温度远远超过的T

JMAX

。这验证了

每一部分的类型。

在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST

JMAX

不超标。

下面3.方程基于电路和波形显示

在图12a ， 12b中。

4. P

D（ AVE ）

每单=平均功耗

雪崩脉冲。

5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占

雪崩过程中电压上升）。

6. I

=允许雪崩电流。

∆T

允许上升的结温，不超过

JMAX

（假定为25℃的图15，图16 ）。

AV =

平均时间在雪崩。

175

D =占空比雪崩= T

·f

thJC

（ D，T

） =瞬态热阻抗，参见图11）

D（ AVE ）

= 1/2（ 1.3 BV · ·我

) =

DT /

thJC

= 2DT / [1.3 BV · · ž

]

AS （ AR ）

= P

D（ AVE ）

·t

图16 。

最大雪崩能量

与温度的关系

www.irf.com

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