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IRF1404PBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF1404PBF图片预览
型号: IRF1404PBF
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内容描述: HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 10 页 / 198 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF1404PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
∆V
( BR ) DSS
/∆T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
…
分钟。
40
–––
–––
2.0
76
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
0.039 --- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安
0.0035 0.004
V
GS
= 10V ,我
D
= 121A
„
––– 4.0
V
V
DS
= 10V ,我
D
= 250µA
––– –––
S
V
DS
= 25V ,我
D
= 121A
––– 20
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
µA
––– 250
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
––– 200
V
GS
= 20V
nA
––– -200
V
GS
= -20V
131 196
I
D
= 121A
36 –––
NC V
DS
= 32V
37
56
V
GS
= 10V„
17 –––
V
DD
= 20V
190 –––
I
D
= 121A
ns
46 –––
R
G
= 2.5Ω
33 –––
R
D
= 0.2Ω
„
D
铅之间,
4.5 –––
6毫米(0.25英寸)。
nH
G
从包
7.5 –––
而中心的模具接触
S
5669 –––
V
GS
= 0V
1659 –––
pF
V
DS
= 25V
223 –––
ƒ = 1.0MHz的,见图。五
6205 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V , ƒ = 1.0MHz的
1467 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V , ƒ = 1.0MHz的
2249 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项:
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)

二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 202†
展示
A
G
整体反转
––– ––– 808
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.5
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= 121A ,V
GS
= 0V
„
––– 78 117
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
= 121A
––– 163 245
NC的di / dt = 100A / μs的
„
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)

重复评价;脉冲宽度有限的
‚
起始物为
J
= 25℃时,L = 85μH
最大。结温。 (参见图11)
„
脉冲宽度
400μS ;占空比
2%.
…
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容,赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升,从0至80 %的V
DSS
†
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为75A 。
R
G
= 25Ω, I
AS
= 121A 。 (参见图12)
ƒ
I
SD
121A , di / dt的
130A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
175°C
2
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