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IRF7328 参数 Datasheet PDF下载

IRF7328图片预览
型号: IRF7328
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 109 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF7328
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
∆V
( BR ) DSS
/∆T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-30
–––
–––
–––
-1.0
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
-0.018
17
26.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
52
9.8
8.3
13
15
198
98
2675
409
262
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= -250µA
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= -1mA
21
V
GS
= -10V ,我
D
= -8.0A
‚
mΩ
32
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -6.8A
‚
-2.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250µA
–––
S
V
DS
= -10V ,我
D
= -8.0A
-15
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
µA
-25
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V ,T
J
= 70°C
-100
V
GS
= -20V
nA
100
V
GS
= 20V
78
I
D
= -8.0A
–––
nC
V
DS
= -15V
–––
V
GS
= -10V
20
V
DD
= -15V, V
GS
= -10.0V
23
I
D
= -1.0A
ns
297
R
G
= 6.0Ω
147
R
D
= 15Ω
‚
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -25V
–––
ƒ = 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)

二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
37
36
-2.0
A
-32
-1.2
56
54
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= -2.0A ,V
GS
= 0V
‚
T
J
= 25 ° C,I
F
= -2.0A
的di / dt = -100A / μs的
‚
D
S
注意事项:

重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
ƒ
表面安装在FR- 4电路板,T
10sec.
‚
脉冲宽度
400μS ;占空比
2%.
2
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