IRF7901D1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7901D1
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内容描述：	双FETKY⑩共同封装的双MOSFET加上肖特基二极管 [Dual FETKY⑩ Co-Packaged Dual MOSFET Plus Schottky Diode]
分类和应用：	肖特基二极管
文件页数/大小：	8 页 / 257 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

IRF7901D1

电气特性

参数

漏 - 源

击穿电压*

静态漏源

在性*

漏源漏

栅源漏

目前*

总栅极电荷*

预Vth的

栅极 - 源电荷

后Vth的

栅极 - 源电荷

栅漏电荷

转换费*

gs2

+ Q

)

输出电荷*

栅极电阻

输入电容

输出电容

传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

DSS

（上）

Q1 - 控制用FET

Q2 - 同步FET

&肖特基

民

–

1.0

–

GSS

摹续

摹同步

GS1

GS2

OSS

国际空间站

OSS

RSS

（上）

（关闭）

–

典型值

–

7.6

6.7

2.0

0.5

1.9

2.4

13.5

3.4

780

430

7.2

13.8

14.7

最大

–

0.15

±100

10.5

9.0

–

3.8

18.0

–

民

–

1.0

–

典型值

–

15.5

13.5

5.5

0.9

4.7

5.6

9.0

4.3

1810

310

110

10.4

16.4

14.6

5.2

最大单位

–

4.3

±100

21.0

18.3

–

9.0

12.3

–

Ω

mΩ

µA

条件

= 0V时，我

= 250µA

= 4.5V ，我

= 5A

= V

, I

= 250µA

= 24V, V

= 0

= 24V, V

= 0, T

= 125°C

= ±20V

= 5V, V

= 16V ，我

= 5A

= 5V, V

= 100mV的，我

= 5A

= 16V ，我

= 5A

栅极阈值电压* V

（ TH ）

DSS

= 16V, V

= 0

= 16V, V

= 0中，f = 1MHz的

= 16V ，我

= 5A ，V

= 5V

钳位感性负载

看到测试图图17 。

源极 - 漏极额定值和特性

参数

二极管正向

电压*

反向恢复

收费

民

–

典型值

0.7

62.3

最大

1.0

–

& Q2

并联肖特基

最小典型最大单位

条件

–

0.48 0.52

V I

= 1A ，V

= 0V

–

8.9

–

DL / DT = 700A / us的

= 16V, V

= 0V时，我

= 5A

重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

脉冲宽度

≤

300微秒;占空比

≤

2%.

当安装在1平方英寸的铜电路板，T < 10秒。

结合Q1 ， Q2我

RMS

@压水堆V

OUT

销。连续计算

目前基于最大允许结温;

开关或其他损失会降低RMS电流能力

当安装在IRNBPS2设计套件。测量设备T

以压水堆线索（V

＆放大器; V

OUT

)

设备是经过100％测试这些参数。

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