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IRFL9014 参数 Datasheet PDF下载

IRFL9014图片预览
型号: IRFL9014
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(ON) = 0.50ohm ,ID = -1.8A ) [Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.8A)]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 224 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRFL9014
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
∆V
( BR ) DSS
/∆T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
-60
––– –––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
--- -0.059 --- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安
–––
-2.0
1.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 0.50
––– -4.0
––– –––
––– -100
––– -500
––– -100
––– 100
––– 12
––– 3.8
––– 5.1
11 –––
63 –––
9.6 –––
31
–––
4.0
6.0
270
170
31
–––
–––
–––
–––
–––
pF
V
S
µA
nA
V
GS
= -10V ,我
D
= 1.1A
„
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
V
DS
= -25V ,我
D
= 1.1A
„
V
DS
= -60V, V
GS
= 0V
V
DS
= -48V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
I
D
=-6.7A
V
DS
=-48V
V
GS
= -10V ,见图。 6和13
„
V
DD
= -30V
I
D
= -6.7A
R
G
= 24
R
D
= 4.0
Ω,
参见图。 10
„
铅之间的6mm ( 0.25英寸)
从包装和中心
模具接触。
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
ƒ = 1.0MHz的,见图。五
D
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
nC
ns
nH
G
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项:
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)

二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
MOSFET符号
––– ––– -1.8
展示
A
G
整体反转
––– ––– -14
p-n结二极管。
––– ––– -5.5
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= -1.8A ,V
GS
= 0V
„
––– 80 160
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
=-6.7A
––– 0.096 0.19
μC的di / dt = 100A / μs的
„
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
D
S

重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
ƒ
I
SD
-6.7A , di / dt的
≤90A/µs,
V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
150°C
‚
V
DD=
-25V ,起始物为
J
= 25℃时,L = 50毫亨
R
G
= 25Ω, I
AS
= -1.8A 。 (参见图12)
„
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
2
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