PD - 9.1231
IRFP450LC
HEXFET
®
功率MOSFET
超低栅极电荷
降低栅极驱动要求
增强型30V V
gs
等级
减少的C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
隔离区安装孔
动态的dv / dt评分
额定重复性雪崩
描述
这一系列新的低电荷HEXFET功率MOSFET显著实现
更低的栅极电荷比传统的MOSFET 。利用先进的HEXFET
技术，设备改进，允许降低栅极驱动要求，
更快的开关速度和整体系统的储蓄增加。这些装置
改进结合HEXFETs的成熟耐用性和可靠性
为设计人员提供的功率晶体管的新标准为开关应用。
在TO- 247封装的首选商业工业应用
更高的功率水平排除使用的TO-220的设备。该TO- 247相似
但由于其孤立的安装孔优于早期的TO- 218封装。
V
DSS
= 500V
R
DS （ ON）
= 0.40
Ω
I
D
= 14A
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
14
8.6
56
190
1.5
±30
760
14
19
3.5
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅•在（ 1.1N •m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
分钟。
––––
––––
––––
典型值。
––––
0.24
––––
马克斯。
0.65
––––
40
单位
° C / W
修订版0
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
